SIDAC
数据表
产品型号
(10)
Do
不
利用
TAB
I
T（ RMS ）
(6) (7) (8)
V
DRM
V
BO
(1)
I
DRM
I
BO
(2)
I
H
(3) (4)
TYPE
销1
3脚
TO-92
DO-15X
销2
不要使用
DO-214
安培
最大
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
伏
民
±70
±90
±90
±90
±90
±90
±90
±180
±180
±190
±200
±200
民
79
95
104
110
120
130
140
190
205
220
240
270
伏
最大
97
113
118
125
138
146
170
215
230
250
280
330
μAMPS
最大
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
μAMPS
最大
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
毫安
典型值
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
最大
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
TO-202
请参阅“封装尺寸”部分的变化。 （9）
SDB0900E70
SDB1050E70
SDB1100E70
SDB1200E70
SDB1300E70
SDB1400E70
SDB1500E70
SDB2000E70
SDB2200E70
SDB2400E70
SDB2500E70
SDB0900G
SDB1050G
SDB1100G
SDB1200G
SDB1300G
SDB1400G
SDB1500G
SDB2000G
SDB2200G
SDB2400G
SDB2500G
SDB2000F1
SDB2200F1
SDB2400F1
SDB2500F1
SDB3000F1
SDB0900S
SDB1050S
SDB1100S
SDB1200S
SDB1300S
SDB1400S
SDB1500S
SDB2000S
SDB2200S
SDB2400S
SDB2500S
具体的测试条件
的di / dt
- 临界速率的高层通态电流
dv / dt的
- 关键断态电压上升率在额定V
DRM
;
T
J
100 °C
I
BO
- 击穿电流50/60赫兹正弦波
I
DRM
- 重复峰值断态电流50/60赫兹正弦波; V = V
DRM
I
H
- 动态保持电流50/60赫兹正弦波; R = 100
I
T（ RMS ）
- 开启状态RMS电流T
J
125°C 50/60赫兹正弦波
I
TSM
- 峰值单周期浪涌电流50/60赫兹正弦波（无
重复）
R
S
- 开关电阻
R
电气规格说明
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
对于V见4
BO
改变与结温。
因为我看到4
BO
随结温。
因为我看到3
H
与外壳温度。
5参见测试电路。
对于多于一个全周期的评价见3 。
T
C
90℃下的TO- 92 SIDAC
T
C
105℃ TO- 202 Sidacs
T
L
100 ℃， DO- 15X
T
L
90℃下的DO -214
5参见澄清SIDAC操作。
为了获得最佳的SIDAC操作中，负载阻抗应接近或
比开关电阻小。
见包概述了铅的形式配置。订货时
特殊的引线成形，加上型号为后缀的零件编号。
V
–
V
BO
S
= -------------------------------
50/60赫兹正弦波
-
S
I
–
I
BO
S
(7)
(8)
(9)
V
BO
- 击穿电压50/60赫兹正弦波
V
DRM
- 重复峰值断态电压
V
TM
- 峰值通态电压;我
T
= 1 A
（ 10 ）不要使用电气连接的安装选项卡或中心的领先优势。
+I
一般注意事项
•
•
•
所有测量均在一个制成在60赫兹与电阻性负载
+ 25 ° C除非另有规定的环境温度。
存储温度范围（T
S
）为-65 ° C至+150°C 。
的情况下（T
C
）或铅（T
L
）的温度被测量为示出上
在“封装尺寸”节的外形尺寸图
化这个目录。
结温范围（T
J
）为-40 ° C至+125°C 。
铅焊料的温度最大为230 ℃下进行10秒马克西
妈妈; 16"分之1 （1.59 MM）的情况下。
R
S =
(V
BO
- V
S
)
I
T
I
H
I
S
R
S
-V
I
DRM
I
BO
+V
•
•
V
T
V
BO
V
S
V
DRM
(I
S
- I
BO
)
-I
的V-I特性
2
SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
