IRF730
P
OWER
MOSFET
概述
这是功率MOSFET专为低电压,高
高速功率开关应用,如开关
监管机构, conveters ,电磁阀和继电器驱动器。
特点
更高的额定电流
低ř
DS ( ON)
,低的电容
低总栅极电荷
更严格的VSD技术指标
较高的雪崩能量
引脚配置
TO-220
符号
D
顶视图
门
来源
漏
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
订购信息
产品型号
包
IRF730..................................................TO-220
绝对最大额定值
等级
漏电流
连续
脉冲(注1 )
栅极 - 源极电压
总功耗
减免上述25
单脉冲漏极至源雪崩能源
工作和存储温度范围
热阻
结到外壳
结到环境
最大的铅焊接温度的目的, 1/8“案件从10秒
T
J
= 25
E
AS
T
J
, T
英镑
JC
JA
符号
I
D
I
DM
V
GS
P
D
价值
6.0
21
±20
96
0.77
180
-55到150
1.70
62
300
单位
A
V
W
W/
mJ
CONTINUE
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ,我
L
= 6A ,L = 10MH ,R
G
= 25 )
/W
T
L
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