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IRF640 参数 Datasheet PDF下载

IRF640图片预览
型号: IRF640
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内容描述: POWERTR MOSFET [POWERTR MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 156 K
品牌: SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
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P
OWERTR
MOSFET
概述
这是功率MOSFET专为低电压,高
高速功率开关应用,如开关
稳压器,转换器,电磁阀和继电器驱动器。
‹
‹
IRF640
特点
‹
‹
硅栅的快速开关速度
低R
DS ( ON)
尽量减少对-损失。规定在高温
温度
坚固耐用 - SOA是功耗有限公司
源极到漏极特点是用感性
负载
引脚配置
TO-220
符号
前视图
D
来源
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
订购信息
产品型号
.....................IRF640...............................................TO-220
绝对最大额定值
等级
漏电流
连续
脉冲
栅极 - 源极电压
总功耗
减免上述25
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
热阻
结到外壳
结到环境
最大的铅焊接温度的目的, 1/8“案件从10秒
(1)脉冲宽度和频率由TJ ( max)和热响应不限
T
J
= 25
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ,我
L
= 18A ,L = 1.38mH ,R
G
= 25 )
JC
JA
符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
18
72
±20
±40
125
1.00
-55到150
224
1.00
62.5
260
单位
A
V
V
W
W/
mJ
/W
CONTINUE
不重复
T
L
第1页