IRF2N60
P
OWER
MOSFET
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产品型号
包
IRF2N60-251..........................................TO-251
.................IRF2N60-252..........................................TO-252
.................IRF2N60-220..........................................TO-220
.................IRF2N60-220FP
TO- 220封装完整
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25
.
IRF2N60
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 )
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 1.2A) *
正向跨导（V
DS
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
50 V，I
D
= 1.0A) *
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 300 V，I
D
= 2.0 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 18 ) *
(V
DS
= 400 V，I
D
= 2.0 A,
V
GS
= 10 V)*
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
0.1
1.0
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
1.4
435
56
9.2
12
21
30
24
13
2.0
6.0
4.5
7.5
22
2.0
100
100
4.0
4.4
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
nA
nA
V
民
600
典型值
最大
单位
V
mA
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
(I
S
= 2.0 A，V
GS
= 0 V,
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
V
SD
t
on
t
rr
**
340
1.5
V
ns
ns
*脉冲测试：脉冲宽度300μS ，占空比
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
2%
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SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
