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CR05AS 参数 Datasheet PDF下载

CR05AS图片预览
型号: CR05AS
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内容描述: 敏感栅硅控整流器 [Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 70 K
品牌: SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
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CR05AS系列
热特性
特征
热电阻 - 结到外壳
- 结到环境
无铅焊锡温度
( T1 / 16 “的情况下, 10秒最大)
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
75
200
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
(注2 )
T
C
= 25°C
(V
D
=额定V
DRM
和V
RRM
; R
GK
= 1 KW )
T
C
= 110°C
I
DRM
, I
RRM
10
100
mA
基本特征
正向峰值通态电压
*
(I
TM
= 1.0 A峰值@ T
A
= 25°C)
门极触发电流(连续直流)
(注3)
(V
AK
= 7.0伏,R
L
= 100
W)
保持电流
(2)
(V
AK
= 7.0伏,启动电流= 20 mA)的
闩锁电流
(V
AK
= 7.0 V,免疫球蛋白= 200
毫安)
门极触发电压(连续直流)
(注3)
(V
AK
= 7.0伏,R
L
= 100
W)
T
C
= −40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= −40°C
T
C
= 25°C
T
C
= −40°C
T
C
= 25°C
V
TM
I
GT
I
H
I
L
V
GT
40
0.5
0.6
0.62
1.7
200
5.0
10
10
15
0.8
1.2
V
mA
mA
mA
V
动态特性
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
,指数波形,R
GK
= 1000
W,T
J
= 110°C)
通态电流临界上升率
(I
PK
= 20 A; PW = 10
毫秒;
DIG / DT = 1 /毫秒,糖耐量低减= 20 mA)的
*表示脉冲测试:脉冲宽度
1.0毫秒,占空比
1%.
2. R
GK
= 1000
W
包括测量。
3.不包含R
GK
测量。
dv / dt的
的di / dt
20
35
50
V / ms的
A / MS
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
(关断状态)
反向雪崩区
阳极 -
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
(关断状态)
2