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2SD788 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD788
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内容描述: NPN硅外延平面型 [Silicon NPN epitaxial planar type]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 103 K
品牌: SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
 浏览型号2SD788的Datasheet PDF文件第1页  
NPN硅外延平面型
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率P
C
(W)
1.2
集电极电流I
C
(MA )
100
0.3
2SD788
典型的输出特性
80
60
40
20
0.25
0.2
0.8
0.15
0.1
0.4
0.05毫安
I
B
= 0
0
50
100
环境温度Ta (C )
150
0
2
4
6
8
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的传输特性
1,000
15
10
5毫安
集电极电流I
C
(MA )
300
100
30
10
3
1
典型的输出特性
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
I
B
= 0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
10,000
直流电流传输比H
FE
3,000
1,000
300
100
30
10
–25
脉冲
V
CE
= 2 V
TA = 75℃
25
20
集电极电流I
C
(A)
V
CE
= 2 V
TA = 75℃
25
–25
P
C
=0
.9 W
0
0.2
0.4
0.6
0.8
基极至发射极电压V
BE
(V)
1.0
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
饱和电压与集电极电流
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
3.0
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
I
C
= 10 I
B
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
1
3
10
30
100 300
集电极电流I
C
(MA )
1,000
3
10
30
100 300 1,000 3,000
集电极电流I
C
(MA )
2