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SMM150ER02 参数 Datasheet PDF下载

SMM150ER02图片预览
型号: SMM150ER02
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内容描述: 单通道电源电压Marginer /监视器 [Single-Channel Supply Voltage Marginer/Monitor]
分类和应用: 监视器
文件页数/大小: 22 页 / 383 K
品牌: SUMMIT [ SUMMIT MICROELECTRONICS, INC. ]
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SMM150
初步信息
高温下偏置...................... -55
°
C至125
°
C
存储温度QFN ................... -65
°
C至150
°
C
端电压相对于GND :
VDD电源电压..........................- 0.3V至6.0V
所有其他................................- 0.3V至V
DD
+ 0.7V
FAULT # ............... 。 ... GND至15.0V
输出短路电流...............................百毫安
回流焊接温度( 10秒) ...... 。 ......... ... 240
°
C
结温......................... ...... ..... ... ... 150℃
根据JEDEC ESD额定值........................ .. ...... ..2000V
闭锁根据JEDEC测试......... .. ...... ...... ...... ±100
注 - 该设备是不能保证其经营的功能外
投资评级。绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些压力额定值只和
该器件在这些或任何其他条件的功能操作
外面那些规范的业务部门所列出的是
不是暗示。暴露于任何绝对最大额定值延长
期间可能会影响器件的性能和可靠性。设备
ESD敏感。操作注意事项建议。
绝对最大额定值
推荐工作条件
温度范围(工业) -40 ..........
°
C至+ 85
°
C
(商业) .............. 0
°
C至+70
°
C
VDD电源电压.................................. 2.7V至5.5V
输入................................................. ........ GND到VDD
封装热阻( θ
JA
)
28焊盘QFN ............... 。 ........................ 。 ... 80
o
C / W
20球
CSP
TM
......... .. ............ 。 ... 。 ...待定
o
C / W
水分分类等级1 ( MSL 1 )每J- STD- 020
可靠性的特点
数据保留............... .. ... ..100年
耐力........................... 。 ......... .100,000周期
直流工作特性
(在推荐的工作条件,除非另有说明,所有电压都是相对于GND )。
符号
参数
笔记
分钟。
典型值。
最大
单位
VDD
VM
I
DD
I
TRIM
V
TRIM
V
ADOC
V
IH
V
IL
V
OL
V
AIH
V
AIL
I
AIT
OV / UV
V
HYST
R
引体向上
电源电压
正检测电压
电源电流从
VDD
TRIM输出电流
100Ω至1.0V
TRIM的输出电压范围
保证金范围
输入高电压
SDA , SCL , WP , MUP , MDN
输入低电压
SDA , SCL , WP , MUP , MDN
开漏输出
FAULT # , READY
地址输入高电压,
A2, A1, A0
地址输入低电压,
A2, A1, A0
地址输入三态
最大漏 - 高Z
监测电压范围
COMP1 / 2 DC滞后
输入上拉电阻
VM端
TRIM引脚悬空
TRIM采购最大电流
TRIM下沉最大电流
I
TRIM
±1.5mA
取决于直流的调整范围
DC转换器
VDD = 2.7V
VDD = 5.0V
VDD = 2.7V
VDD = 5.0V
ISINK = 1毫安
VDD = 2.7V ,R
上拉
≤300kΩ
VDD = 5.0V ,R
上拉
≤300kΩ
VDD = 2.7V ,R
下拉
≤300kΩ
VDD = 5.0V ,R
下拉
≤300kΩ
VDD = 2.7V
VDD = 5.0V
COMP1和COMP2引脚
COMP1和COMP2引脚,
V
TH
-V
TL
(见注1 )
见引脚说明
0.9xVDD
0.7xVDD
2.7
0.3
3
1.5
-1.5
GND
0.3
0.9xVDD
0.7xVDD
2.5
VDD
VDD
VDD
0.1xVDD
0.3xVDD
0.2
VDD
VDD
0.1xVDD
0.3xVDD
+1.4
+1.6
VDD
10
50
3.3
5.5
VDD
V
V
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
µA
V
mV
kΩ
-1.8
-2.0
0
注1 - 的相应的直流磁滞电压测量用1.25V的外部电压源。所得到的值中减去来确定
门槛低的阈值高,V
TH
-V
TL
同时监测故障#引脚的状态。基地DC滞后是衡量一个1.25V的输入。实际的直流
滞后是从公式得出: (V
IN
/V
REF
) (基本滞后) 。例如,若V
IN
= 2.5V和V
REF
= 1.25V那么实际的直流滞后=
(2.5V/1.25V)(0.003V)=6mV.
峰会微电子股份有限公司
2075 2.6 05/13/05
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