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SMH4812G 参数 Datasheet PDF下载

SMH4812G图片预览
型号: SMH4812G
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内容描述: 分布式电源热插拔控制器 [Distributed Power Hot-Swap Controller]
分类和应用: 控制器
文件页数/大小: 19 页 / 435 K
品牌: SUMMIT [ SUMMIT MICROELECTRONICS, INC. ]
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SMH4812
初步
欠压滞后
在根据电压比较器的输入可被配置
与迟滞的可编程水平。比较
电平可以在步骤(最多15个) 62.5mV的2.5V以下时进行设置。
欠电压滞后电平被设置为默认
62.5mV.
软启动斜率控制
一旦所有的先决条件,在DC / DC通电的
控制器已经满足, SMH4812提供
是指以软启动外部功率FET 。重要的是
以限制冲击电流,以防止损坏该加载
卡或中断给主机供电。例如,
充电的滤波电容(通常需要在
该DC / DC控制器的输入)太快可能产生
非常高的电流。该SMH4812的VGATE输出
电流限制在我
VGATE
,允许转换速率是很容易
修改使用外部无源元件。摆
率可以通过将我找到
VGATE
由栅 - 漏
电容放置在外部FET 。一个完整的
设计实例给出了应用部分。
负荷控制 - 测序辅助支持部门
一旦电源已经升高到所述DC / DC控制器,
两个条件必须得到满足之前, PG #输出可
启用:漏极感应电压必须低于2.5V ,
并且VGATE电压必须大于V
DD
– V
GT
.
漏感的输入可以确保电源MOSFET导
场效应管是不是吸收太多的稳态功率
在高V操作
DS
。该传感器一直处于工作
倍(除了在电流调节时间) 。该
VGATE传感器可确保功率MOSFET是
操作顺利进入饱和区,允许前
负载被接通。一旦VGATE达到V
DD
– V
GT
该传感器被锁定。
当外部MOSFET被正确打开了
PG #输出可启用(如果ENPG高) 。输出PG #
经过t被激活
PGD
延时。延迟时间是编程
梅布尔从50微秒至160毫秒。
在PG #输出具有12V的承受能力,那么高
电压不能连接到该引脚。双极
晶体管或光隔离器可以用来增强
耐受电压的主机供给的。参见图9
对于连接。
强制关机 - 次级反馈
强行关机信号( FS # )为低电平输入
它提供从接收反馈的方法
该DC / DC控制器的次级侧。内置的释抑
峰会微电子有限公司
定时器允许SMH4812忽略的FS #国家
输入直到计时器期满。在FS #输入必须
通过该定时器周期结束时驱动为高电平。在低水平
这个输入会导致故障条件,驾驶FAULT #低
和关断VGATE和PG #输出。
释抑定时器的目的是为了留出足够的时间
在DC / DC控制器的次级侧的设备
电力和稳定。的这种独特的功能
SMH4812允许监控电路,如SMS44
控制初级侧的软启动电路的关断,
即使二次侧最初没有权力。
在FS #输入可以被编程为充当第二
ENPG输入控制PG #输出。
断路器操作
该SMH4812提供了大量的电路断路器功能
系统蒸发散,以防止过流条件。一个可持
tained过电流事件可能会损坏主机电源
和/或负载电路。该主板的负载电流流
通过串联电阻(R
S
),连接在所述
MOSFET的源极(绑定在CBSENSE )和V
SS
.
断路器跳闸时R两端的电压降
S
is
大于50mV的超过吨
CBD
(可编程
滤波器延迟从10微秒到500微秒) 。
快速旅行
TM
断路器
此外, SMH4812提供了一个快速旅行功能
这将导致在电路断路器,如果立即跳闸
R两端的电压降
S
超过V
QCB
。使用快速旅行
电平可被设定为60mV时,为100mV (默认值),为200mV ,或
功能可能被禁用。
& LT ;吨
CBD
V
QCB
50mV
CBSENSE
T
FSTSHTDN
VGATE
2055 Fig04
图4.断路器快速跳闸响应
2055 4.0 12/22/00
9