USBLC6-2
技术信息
1.浪涌保护
该USBLC6-2特别优化的基础上，轨到轨拓扑结构进行突波保护。
钳位电压V
CL
可以计算如下：
V
CL
+ = V
公共汽车
+ V
F
积极激增
V
CL
- = - V
F
负激增
附： V
F
= V
T
+ R
d
.I
p
(V
F
正向压降电压） / （V
T
阈值电压）
我们假设钳位二极管的动态电阻的值通常是：
R
d
= 0.5Ω和V
T
= 1.2V.
对于IEC61000-4-2浪涌4级（接触放电： V
g
= 8千伏，R
g
=330Ω), V
公共汽车
= + 5V ，如果在第一
近似，我们假设：我
p
= V
g
/ R
g
= 24A.
所以，我们发现：
V
CL
+ = +17V
V
CL
- = -12V
注意：
该计算不考虑因寄生电感账户的现象。
2.浪涌保护中的应用实例
如果我们考虑到从引线V的连接
公共汽车
到V
CC
从GND到GND PCB用做
两首曲目为10mm长， 0.5毫米大;我们假设寄生电感，这些磁道Lw中
大约6NH 。因此，当一个IEC61000-4-2浪涌发生时，由于该尖峰的上升时间（tr = 1ns的），则
电压V
CL
有一个额外的价值等于Lw.dI / DT 。
的di / dt的计算公式为：的di / dt = IP / TR = 24 A / NS
由于寄生电感的过电压是： Lw.dI / dt的= 6× 24 = 144V
通过考虑这些寄生电感的影响是由于不合适的布局中，夹紧
电压将是：
V
CL
+ = +17 + 144 = 161V
V
CL
- = -12 - 144 = -156V
我们可以减少尽可能多的这些现象用简单的布局优化。
这就是为什么一些建议必须遵循（见第理由“如何保证良好的
ESD保护“ ） 。
图6 ： ESD行为;由于不合适的布局寄生现象
V
CL +
183V
ESD
浪涌
V
公共汽车
Lw
+V
CC
V
F
LW迪
dt
Lw
di
dt
积极
浪涌
V
CC
+
V
F
I / O
tr=1ns
t
VI / O
LW迪
dt
di
V
CL
+ = V
公共汽车
+V
F
+ Lw中DT浪涌>0
di
浪涌<0
V
CL
- = -V
F
-LW
dt
tr=1ns
-V
F
-LW
di
dt
负
浪涌
t
GND
-178V
V
CL-
4/11
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
