技术信息
USBLC6-2
2
2.1
技术信息
浪涌保护
该USBLC6-2特别优化的基础上，轨到轨进行突波保护
拓扑结构。
钳位电压V
CL
可以计算如下：
V
CL
+ = V
TRANSIL
+ V
F
积极激增
V
CL
- = - V
F
负浪涌
附： V
F
= V
T
+ R
d
.I
p
(V
F
正向压降电压） / （V
T
正向压降阈值电压）
和V
TRANSIL
= V
BR
+ R
d_TRANSIL
.I
P
计算示例
我们假设钳位二极管的动态电阻的值通常是：
R
d
= 0.5
Ω
和V
T
= 1.1 V
我们假设TRANSIL二极管的动态电阻的值通常是：
R
d_TRANSIL
= 0.5
Ω
和V
BR
= 6.1 V
对于IEC 61000-4-2浪涌4级（接触放电： V
g
= 8千伏，R
g
= 330
Ω),
V
公共汽车
= + 5V，并且如果在第一近似中，我们假定：
I
p
= V
g
/ R
g
= 24 A.
所以，我们发现：
V
CL
+ = +31.2 V
V
CL
- = -13 V
注意：
该计算不考虑因寄生电感账户的现象。
2.2
电涌保护器的应用实例
如果我们考虑到从引线V的连接
公共汽车
到V
CC
，从I / O数据线和从
GND到PCB的接地层是由10毫米长0.5mm的大轨迹进行，我们假设
该寄生感L
VBUS
, L
I / O
和L
GND
这些轨道是大约6 nH的。因此，当
一个IEC 61000-4-2浪涌发生在数据线中，由于这个尖峰的上升时间（t
r
= 1纳秒），则
电压V
CL
有一个额外的价值等于L
I / O
.dl / DT + L
GND
.dI / DT 。
所述的dI / dt的计算公式为：
的di / dt = I
p
/t
r
= 24 A / NS
由于寄生电感的过电压是：
L
I / O
.dl / DT = L
GND
.dI / DT = nH的6 ×24 A / NS = 144 V
通过考虑这些寄生电感的影响是由于不合适的布局，所述
钳位电压将是：
V
CL
+ = +31.2 + 144 + 144 = 319.2 V
V
CL
- = -13.1 - 144 - 144 = -301.1 V
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STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
