STTH8R06D/FP/G/R
图。 6 ：
反向恢复电荷对的dI
F
/ DT
（ 90 ％置信度） 。
350
300
250
200
150
100
50
DIF / DT （ A / μs）内
0
0
200
400
600
800
1000
图。 7 ：
软化系数（ TB / TA ）与的dI
F
/ DT
（典型值）。
S因子×
0.70
QRR （ NC ）
VR=400V
Tj=125°C
IF = 2× IF （ AV）
0.65
0.60
IF< 2× IF （ AV）
VR=400V
Tj=125°C
IF = IF （ AV）
0.55
0.50
IF = 0.5× IF （ AV）
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0
200
400
600
800
1000
DIF / DT （ A / μs）内
图。 8 ：
动态相对变化
参数与结温
（参考： TJ = 125°C ） 。
2.5
2.0
1.5
1.0
IRM
S因子×
图。 9 ：
瞬态峰值正向电压随
dI
F
/ DT （ 90 ％置信度） 。
VFP （ V）
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
IF = IF （ AV）
Tj=125°C
0.5
QRR
TJ （ ° C）
0.0
25
50
75
100
125
DIF / DT （ A / μs）内
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
图。 10 ：
正向恢复时间相对的dI
F
/ DT
（ 90 ％置信度） 。
TFR （ NS ）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
VFR = 1.1× VF最大值。
IF = IF （ AV）
Tj=125°C
图。 11 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
C（ pF）的
100
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
50
20
DIF / DT （ A / μs）内
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
10
1
VR （ V）
10
100
200
4/7
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
