STPS20H100CT/CF/CG/CR/CFP
热阻
符号
R
日（J -C ）
结到外壳
参数
TO- 220AB / D
2
PAK / I
2
PAK
ISOWATT220AB / TO- 220FPAB
TO- 220AB / D
2
PAK / I
2
PAK
ISOWATT220AB / TO- 220FPAB
R
日（三）
TO- 220AB / D
2
PAK / I
2
PAK
ISOWATT220AB / TO- 220FPAB
当二极管1和2同时使用：
∆
TJ （二极管1 ） = P （ diode1 ）个R
日（J -C ）
（每二极管） + P（二极管2 ）个R
TH（ C）
静态电气特性
（每二极管）
符号
I
R
*
参数
反向漏电流
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 125°C
V
F
**
正向电压降
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
脉冲测试：
* TP = 5毫秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
** TP = 380微秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
价值
每二极管
每二极管
总
总
耦合
耦合
1.6
4
0.9
3.2
0.15
2.5
单位
° C / W
° C / W
分钟。
典型值。
马克斯。
4.5
单位
µA
mA
V
V
R
= V
RRM
2
I
F
= 8 A
I
F
= 10 A
I
F
= 16 A
I
F
= 20 A
I
F
= 8 A
I
F
= 10 A
I
F
= 16 A
I
F
= 20 A
0.56
0.59
0.65
0.67
6
0.71
0.77
0.81
0.88
0.58
0.64
0.68
0.73
为了评估损失使用下面的方程的最大导通：
P = 0.55 ×1
F（ AV ）
+ 0.009 ×1
F2(RMS)
2/8
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
