N沟道75V - 0.0095
Ω
- 80A TO-220 / TO- 220FP / D²PAK
的STripFET ™II功率MOSFET
TYPE
STB75NF75
STP75NF75
STP75NF75FP
s
s
s
s
STB75NF75
STP75NF75 STP75NF75FP
V
DSS
75 V
75 V
75 V
R
DS （ ON）
<0.011
Ω
<0.011
Ω
<0.011
Ω
I
D
80 A
80 A
80 A(*)
3
1
2
典型ř
DS
（上） = 0.0095
Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
表面安装ð
2
PAK （ TO-263 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4 ” ）
3
1
TO-220FP
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
3
2
描述
这实现了与意法半导体MOSFET系列产品
独特的STripFET ™工艺已明确了DE-
签署以减少输入电容和栅极电荷。它
因此，适合作为高级的高主开关
效率，高频隔离型DC- DC转换器
电信和计算机应用。它也被用于
任何应用，低栅极驱动要求。
TO-220
1
内部原理图
应用
s
电磁阀和继电器驱动器
s
直流电机控制
s
DC- DC转换器
s
汽车环境
绝对最大额定值
符号
参数
STB75NF75
STP75NF75
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(•)
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
V
ISO
T
英镑
T
j
由于Rth的价值
价值
STP75NF75FP
75
75
± 20
80
70
320
300
2.0
12
700
------
-55至175
2000
80(*)
70(*)
320(*)
45
0.3
单位
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 kΩ)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
工作结温
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
V
°C
(•)
脉冲宽度有限的安全工作区。
(*)
请参阅SOA对FP型的最大允许电流值
2003年6月
(1) I
SD
≤80A,
的di / dt
≤300A/µs,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 40A ，V
DD
= 37.5V
1/11
新的数据表，根据PCN DSG20023123标记： P75NF75 @
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
