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型号: STP75NF75
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内容描述: N沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET [N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 423 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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电气特性
STB75NF75 - STP75NF75 - STP75NF75FP
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
GS
= 10V ,我
D
= 40A
2
3
分钟。
75
1
10
±100
4
典型值。
马克斯。
单位
V
µA
µA
nA
V
0.0095 0.011
表4 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ,我
D
= 40A
V
DS
= 25V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
20
3700
730
240
117
27
47
160
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DD
= 60V ,我
D
= 80A
V
GS
=10V
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
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