N沟道60V - 0.07
Ω
- 图16A的TO-220 / TO- 220FP
的STripFET ™II功率MOSFET
TYPE
STP16NF06L
STP60NF06LFP
s
s
s
s
STP16NF06L
STP16NF06LFP
V
DSS
60 V
60 V
R
DS （ ON）
<0.09
Ω
<0.09
Ω
I
D
16 A
11 A
典型ř
DS
（上） = 0.07Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
低栅电荷AT 100
o
C
低阈值DRIVE
1
2
3
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小™ "带钢
基于过程。由此产生的晶体管显示了极高
高的堆积密度低的导通电阻，坚固
雪崩特性和不太重要的调整
步骤
因此
a
卓越
制造业
重现。
TO-220
TO-220FP
内部原理图
应用
s
电机控制，音频放大器
s
大电流，高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
汽车环境
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(•)
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
STP16NF06L
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 kΩ)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
工作结温
16
11
64
45
0.3
23
127
--------
-55至175
2500
60
60
± 16
11(*)
7.5(*)
44(*)
25
0.17
价值
STP16NF06LFP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
V
°C
单位
（ • ）脉冲宽度有限的安全工作区。
（ * ）电流限制通过封装的热阻
(1) I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
210A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 8A ，V
DD
= 30V
2002年8月
.
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STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
