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STP60NF06图片预览
型号: STP60NF06
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内容描述: N沟道60V - 0.014ヘ - 60A TO- 220的STripFET II⑩功率MOSFET [N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A TO-220 STripFET II⑩ Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小: 12 页 / 278 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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电气特性
STP60NF06
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表4 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
=125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
GS
= 10V ,我
D
= 30A
2
0.014
分钟。
60
1
10
±100
4
0.016
典型值。
马克斯。
单位
V
µA
µA
nA
V
表5 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
=30A
分钟。
典型值。
50
1660
400
140
V
DD
= 30V ,我
D
= 60A,
V
GS
= 10V
54
9
23
73
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 30V ,我
D
= 30A
R
G
= 4.7Ω V
GS
= 10V
V
DD
= 30V ,我
D
= 30A,
R
G
= 4.7Ω, V
GS
=10V
分钟。
典型值。
15
65
45
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
4/12