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STP60NF06LFP 参数 Datasheet PDF下载

STP60NF06LFP图片预览
型号: STP60NF06LFP
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内容描述: N沟道60V - 0.012欧姆 - 60A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET [N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 11 页 / 474 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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N沟道60V - 0.012
- 60A TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK
的STripFET ™II功率MOSFET
TYPE
STB60NF06L
STP60NF06L
STP60NF06LFP
s
s
s
s
STB60NF06L
STP60NF06L STP60NF06LFP
V
DSS
60 V
60 V
60 V
R
DS ( ON)
<0.014
<0.014
<0.014
I
D
60 A
60 A
60 A(*)
3
1
2
s
s
s
典型ř
DS
(上) = 0.012Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
面向应用
表征
175
o
C温度范围
低阈值DRIVE
表面安装ð
2
PAK ( TO-263 )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4 ” )
3
1
TO-220FP
D
2
PAK
TO-263
(后缀“ T4 ” )
3
1
2
TO-220
内部原理图
描述
这实现了与意法半导体MOSFET系列产品
独特的STripFET进程专门设计
以减少输入电容和栅极电荷。这是
因此适合作为先进的高初级开关
效率,高频隔离型DC- DC转换器
电信和计算机应用。它也意
与低栅极驱动要求的任何应用程序。
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
汽车
绝对最大额定值
符号
参数
STB60NF06L
STP60NF06L
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(•)
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS (2)
V
ISO
T
英镑
T
j
由于Rth的价值
价值
STP60NF06LFP
60
60
± 15
60
42
240
110
0.73
20
320
------
-55至175
(1) I
SD
60A , di / dt的
600A / μs的,V
DD
48V ,T
j
T
JMAX 。
( 2 )起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= 30A ,V
DD
= 30V
单位
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 kΩ)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘耐压( DC )
储存温度
工作结温
60(*)
42(*)
240(*)
30
0.2
2000
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
V
°C
(•)
脉冲宽度有限的安全工作区。
(*)
请参阅SOA对FP型的最大允许电流值
2003年7月
.
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