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STM32F103RCY6TR 参数 Datasheet PDF下载

STM32F103RCY6TR图片预览
型号: STM32F103RCY6TR
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内容描述: 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU,具有256至512KB闪存, USB , CAN ,11个定时器, 3的ADC ,13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
分类和应用: 闪存通信
文件页数/大小: 123 页 / 1691 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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电气特性
表61 。
符号
ET
EO
EG
ED
EL
STM32F103xC , STM32F103xD , STM32F103xE
ADC精度
(1) (2)(3)
参数
总非调整误差
偏移误差
增益误差
微分线性误差
积分非线性误差
f
PCLK2
= 56 MHz时,
f
ADC
= 14兆赫,R
艾因
<为10kΩ ,
V
DDA
= 2.4 V至3.6 V
经过测量,取得了
ADC校准
测试条件
典型值
±2
±1.5
±1.5
±1
±1.5
最大
(4)
±5
±2.5
±3
±2
±3
最低位
单位
1. ADC的直流精度值的内部校准后测量。
2.更好的性能可以在限定的V实现
DD
,频率,V
REF
和温度的范围内。
3. ADC精度与负电流注入:注入负电流在任何标准的(非
健壮)模拟输入引脚应该避免,因为这显著降低了转换精度
在另一个模拟输入被执行。推荐的肖特基二极管(引脚接地)添加到
标准模拟引脚可注入的潜在负电流。
因为我规定的范围内的任何积极的注入电流
INJ ( PIN)
I
INJ ( PIN)
in
影响ADC精度。
4.基于特征,而不是在生产测试。
图53. ADC的精度特性
V
V
[1LSB
理想
=
REF +
(或
DDA
根据包)
4096
4096
E
G
4095
4094
4093
(2)
E
T
7
6
5
4
3
2
1
0
1
V
SSA
2
3
4
1 LSB
理想
E
O
E
L
E
D
(3)
(1)
E
T
=总非调整误差:最大偏差
之间的实际和理想的转移曲线。
E
O
=失调误差:第一个实际之间的偏差
过渡和所述第一理想的。
E
G
=增益误差:最后的理想之间的偏差
过渡和最后的实际的。
E
D
=微分线性误差:最大偏差
之间的实际步骤,并提供了理想的。
E
L
=积分线性误差:最大偏差
任何实际的过渡和结束点之间
相关线。
一个实际的转移曲线(1 )实施例
( 2 )理想转换曲线
(3)结束点相关线
5
6
7
4093 4094 4095 4096
V
DDA
ai14395b
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文档ID 14611第七版