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    FDMS0310AS

     N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，22A，4.3mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    GJM0335C1H9R0DB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM1551X1E8R7DA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    MMBF4117

     N 沟道开关
    开关光电二极管晶体管
    0 ONSEMI

    GCM1555G1H3R2BA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    RQ5A020ZP

     RQ5A020ZP是低导通电阻、内置栅极保护二极管的MOSFET。适合负荷开关用途。
    开关栅二极管栅极
    0 ROHM

    GRM0333C1H2R7WA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCM1555G1H151FA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GQM1555G2D5R5CB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    10-PZ12NMA080SH01-M260FY

     Easy paralleling;High speed switching;Low switching losses
    暂无信息
    0 VINCOTECH

    BD35395FJ-M

     BD35395FJ-M是适用于JEDEC标准DDR1/2/3/3L-SDRAM的终端稳压器。内置N-MOSFET，漏型/源型最大可提供1A电流的线性电源。内部的OP-AMP采用高速设计，实现了优异的瞬态响应特性。为驱动内部的N-MOSFET，需要3.3V或5.0V偏压电源。为确保JEDEC规定的电压精度，本产品拥有独立的基准输入引脚（VDDQ）和独立的反馈引脚（VTTS），实现了优异的输出电压精度和负载调整率。Power Supply Reference BoardFor Xilinx’s FPGA Spartan-7
    驱动动态存储器双倍数据速率稳压器
    0 ROHM

    GRM0225C1H2R8BA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    IPL60R285P7

     600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。
    栅开关脉冲晶体管栅极
    0 INFINEON

    FQI7N80TU

     800V N沟道QFET®
    开关脉冲晶体管
    0 ONSEMI

    GCG1550C1H6R7CA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

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