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STM32F103RCH6TR 参数 Datasheet PDF下载

STM32F103RCH6TR图片预览
型号: STM32F103RCH6TR
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内容描述: 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU,具有256至512KB闪存, USB , CAN ,11个定时器, 3的ADC ,13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
分类和应用: 闪存通信
文件页数/大小: 123 页 / 1691 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STM32F103xC , STM32F103xD , STM32F103xE
电气特性
图25.异步非复用的SRAM / PSRAM / NOR写入波形
t
W( NE )
FSMC_NEx
FSMC_NOE
t
V( NWE_NE )
t
W( NWE )
t
H( NE_NWE )
FSMC_NWE
t
V( A_NE )
FSMC_A [25 :0]的
地址
t
H( A_NWE )
t
V( BL_NE )
FSMC_NBL [1 :0]的
t
V( Data_NE )
NBL
t
H( BL_NWE )
t
H( Data_NWE )
数据
FSMC_D [15 :0]的
t
V( NADV_NE )
t
W( NADV )
FSMC_NADV
(1)
ai14990
1,模式2 / B ,C和D只。在模式1中, FSMC_NADV不被使用。
表32 。
符号
t
W( NE )
t
V( NWE_NE )
t
W( NWE )
t
H( NE_NWE )
t
V( A_NE )
t
H( A_NWE )
t
V( BL_NE )
t
H( BL_NWE )
t
V( Data_NE )
t
H( Data_NWE )
t
V( NADV_NE )
t
W( NADV )
1. C
L
= 15 pF的。
异步非复用SRAM / PSRAM / NOR写时序
(1)(2)
参数
FSMC_NE低的时间
FSMC_NEx低到FSMC_NWE低
FSMC_NWE低的时间
FSMC_NWE高FSMC_NE高保持时间
FSMC_NEx低到FSMC_A有效
后FSMC_NWE高地址保持时间
FSMC_NEx低到FSMC_BL有效
后FSMC_NWE高FSMC_BL保持时间
FSMC_NEx低到数据有效
数据保持时间后FSMC_NWE高
FSMC_NEx低到FSMC_NADV低
FSMC_NADV低的时间
T
HCLK
5.5
T
HCLK
+ 1.5
T
HCLK
– 0.5
T
HCLK
+ 7
T
HCLK
1.5
3T
HCLK
– 1
T
HCLK
– 0.5
T
HCLK
– 0.5
T
HCLK
7.5
最大
3T
HCLK
+ 2
T
HCLK
+ 1.5
T
HCLK
+ 1.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2.基于特征,而不是在生产测试。
文档ID 14611第七版
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