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    STM32F103RBU6TR 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RBU6TR图片预览
    型号： STM32F103RBU6TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 中密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有64或128 KB的闪存， USB ， CAN ，7个定时器， 2的ADC ，9个通信接口 [Medium-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 92 页 / 1212 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第48页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第49页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第50页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第51页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第53页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第54页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第55页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第56页  
    电气特性
    STM32F103x8 ， STM32F103xB
    高速内部（ HSI ） RC振荡器
    表24中。
    符号
    f
    恒指
    HSI振荡器的特性
    (1)
    参数
    频率
    用户镶着的RCC_CR
    注册
    (2)
    条件
    民
    典型值
    8
    1
    (3)
    –2
    –1.5
    –1.3
    –1.1
    1
    80
    2.5
    2.2
    2
    1.8
    2
    100
    最大
    单位
    兆赫
    %
    %
    %
    %
    %
    µs
    µA
    加
    恒指
    恒指精度
    振荡器
    出厂
    CALIBRATED
    (4)
    T
    A
    = -40至105℃
    T
    A
    = -10 〜85 ℃下
    T
    A
    = 0至70℃
    T
    A
    = 25 °C
    t
    su(HSI)(4)
    I
    DD(HSI)(4)
    HSI振荡器
    启动时间
    HSI振荡器电源
    消费
    1. V
    DD
    = 3.3 V ，T
    A
    = -40至105℃，除非另有规定。
    2.请参阅应用笔记AN2868 “ STM32F10xxx的内部RC振荡器（ HSI）校准”，可从
    在ST网站www.st.com 。
    3.由设计保证，而不是在生产测试。
    4.基于特征，而不是在生产测试。
    低速内部（ LSI ） RC振荡器
    表25 。
    符号
    f
    LSI(2)
    t
    su(LSI)(3)
    I
    DD(LSI)(3)
    频率
    LSI振荡器启动时间
    LSI振荡器的功耗
    0.65
    LSI振荡器特性
    (1)
    参数
    民
    30
    典型值
    40
    最大
    60
    85
    1.2
    单位
    千赫
    µs
    µA
    1. V
    DD
    = 3 V ，T
    A
    = -40至105℃，除非另有规定。
    2.基于特征，而不是在生产测试。
    3.由设计保证，而不是在生产测试。
    从低功耗模式唤醒时间
    在给定的唤醒时间
    表26
    上测量的唤醒阶段具有8 MHz的HSI RC
    振荡器。用于唤醒器件的时钟源依赖从目前的经营
    模式：
    ●
    ●
    停止或待机模式：时钟源为RC振荡器
    睡眠模式：时钟源是已进入休眠模式之前设置时钟。
    所有的时序从环境温度和V下进行实验的衍生
    DD
    供应
    电压条件下总结了
    表9 。
    52/92
    文档ID 13587牧师11

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