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STM32F103RBT7XXX 参数 Datasheet PDF下载

STM32F103RBT7XXX图片预览
型号: STM32F103RBT7XXX
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内容描述: 中密度高性能线的基于ARM的32位MCU,具有64或128 KB的闪存, USB , CAN ,7个定时器, 2的ADC ,9个通信接口 [Medium-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 communication interfaces]
分类和应用: 闪存微控制器和处理器外围集成电路通信时钟
文件页数/大小: 92 页 / 1212 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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电气特性
表28 。
符号
STM32F103x8 , STM32F103xB
快闪记忆体的特性(续)
参数
条件
读取模式
f
HCLK
= 72 MHz的等待2
州,V
DD
= 3.3 V
(1)
典型值
最大
(1)
20
单位
mA
I
DD
电源电流
写入/擦除模式
f
HCLK
= 72兆赫,V
DD
= 3.3 V
掉电模式/暂停,
V
DD
= 3.0〜 3.6 V
5
50
2
3.6
mA
µA
V
V
PROG
编程电压
1.由设计保证,而不是在生产测试。
表29 。
符号
闪存存储器耐用性和数据保留
价值
参数
条件
T
A
= -40 〜+ 85° C( 6后缀版本)
T
A
= -40〜 + 105 ℃( 7后缀的版本)
1 kcycle
(2)
在T
A
= 85 °C
1 kcycle
(2)
在T
A
= 105 °C
10 kcycles
(2)
在T
A
= 55 °C
(1)
单位
典型值
最大
kcycles
N
结束
耐力
10
30
10
20
t
RET
数据保留
岁月
1.基于特征,而不是在生产测试。
2.骑自行车完成在整个温度范围内。
5.3.10
EMC特性
药敏试验是在器件特性以抽样方式进行。
功能性EMS (电磁敏感性)
而一个简单的应用程序在设备上执行(切换2个LED通过I / O端口) 。该
装置是由两个电磁事件强调直到发生故障。故障是
通过LED指示:
静电放电( ESD )
(正和负)被施加到所有器件引脚直到
功能发生紊乱。这个测试是符合IEC 61000-4-2标准。
FTB :
快速瞬态电压的脉冲串(正和负)被施加到V
DD
V
SS
通过一个100 pF的电容,直至功能障碍发生。这个测试是
符合IEC 61000-4-4标准。
器件复位允许恢复了正常运行。
试验结果在给定的
它们都是基于EMS级别和类别
在应用笔记AN1709定义。
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文档ID 13587牧师11