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STM32F103R4T7AXXX 参数 Datasheet PDF下载

STM32F103R4T7AXXX图片预览
型号: STM32F103R4T7AXXX
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内容描述: 基于ARM的低密度高性能线的32位MCU,具有16或32 KB闪存, USB , CAN ,6个定时器, 2的ADC ,6个通信接口 [Low-density performance line, ARM-based 32-bit MCU with 16 or 32 KB Flash, USB, CAN, 6 timers, 2 ADCs, 6 communication interfaces]
分类和应用: 闪存通信
文件页数/大小: 80 页 / 1067 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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电气特性
表30 。
符号
STM32F103x4 , STM32F103x6
EMS特点
参数
条件
水平/
2B
V
FESD
V
DD
�½3.3
V,T
A
�½+25
°C,
电压范围,可在任何I / O引脚施加
f
HCLK
�½
72兆赫
诱发功能障碍
符合IEC 61000-4-2
快速的瞬态电压限制爆裂是
通过100 pF的对V应用
DD
和V
SS
销诱发功能障碍
V
DD
�½3.3
V,T
A
�½+25
°C,
f
HCLK
�½72
兆赫
符合IEC 61000-4-4
V
EFTB
4A
设计硬软件,以避免噪音问题
EMC特性和优化,在组件级具有典型的执行
应用环境,简化MCU软件。但是应当注意的是,良好的EMC
性能高度依赖于用户应用,特别是软件。
因此,建议用户施加EMC软件优化和
资格预审测试与要求为他申请了EMC等级关系。
软件推荐
软件流程图必须包括失控的条件,如管理:
损坏的程序计数器
意外复位
关键数据损坏(控制寄存器... )
资格预审试验
大部分的常见故障(意外复位,程序计数器腐败)可
通过手动强制在NRST引脚或振荡器引脚1的低复制状态
第二个。
完成这些试验中, ESD应力下,可以直接在设备上施加过度的范围
规范值。当检测到异常行为,该软件可以被硬化
以防止发生不可恢复的错误(参见应用笔记AN1015 ) 。
电磁干扰( EMI)的
通过该装置发射的电磁场时监视的简单应用程序是
执行(切换2个LED通过I / O端口) 。这个发射测试符合
IEC 61967-2标准,该标准规定了测试板和引脚负载。
表31 。
符号
EMI特性
参数
条件
受监控
频带
为0.1〜30兆赫
马克斯与[F
HSE
/f
HCLK
]
单位
四十八分之八兆赫七十二分之八兆赫
12
22
23
4
12
19
29
4
-
dBμV的
S
EMI
峰值电平
V
DD
�½3.3
V,T
A
�½25
°C
30至130兆赫
130兆赫到1GHz
SAE EMI水平
50/80
文档ID 15060牧师3