电气特性
表62 。
符号
STM32F103xC , STM32F103xD , STM32F103xE
DAC的特性(续)
参数
偏移误差
(差异
在代码测量值
(为0x800 )与理想值=
V
REF +
/2)
民
典型值
±10
±3
±12
±0.5
最大
单位
mV
最低位
最低位
%
评论
鉴于该DAC的12位
CON组fi guration
鉴于该DAC的10位在V
REF +
= 3.6 V
鉴于该DAC的12位在V
REF +
= 3.6 V
鉴于该DAC的12位
CON组fi guration
OFFSET
(2)
收益
错误
(2)
增益误差
建立时间(满量程:一
10位输入的代码转换
之间的最低和
最高输入代码时,
DAC_OUT达到最终
值的± 1LSB
最大频率正确
DAC_OUT变化时,
在输入变化小
码(从代码i到I + 1LSB )
从关闭状态唤醒的时间
(设置在该位ENX
DAC控制寄存器)
电源抑制比
(以V
DDA
) (静态直流
测量
6.5
t
SETTLING(2)
3
4
µs
C
负载
为50 pF ,R
负载
5 k
更新
率
(2)
1
MS / s的ç
负载
为50 pF ,R
负载
5 k
C
负载
为50 pF ,R
负载
5 k
输入代码最低价之间
最高可能的。
没有R
负载
, C
负载
= 50 pF的
t
WAKEUP(2)
10
µs
PSRR +
(1)
–67
–40
dB
1.由设计保证,而不是在生产测试。
2.通过特性保证,未经生产测试。
图57. 12位缓冲/非缓冲DAC
缓冲/非缓冲DAC
Buffer(1)
R
负载
12-bit
数字以
类似物
变流器
DACx_OUT
C
负载
ai17157
1.该DAC集成了可用于降低输出阻抗,并直接驱动外部负载的输出缓冲器
无需使用外部运算放大器。缓冲器可以通过配置在所述BOFFx位被绕过
DAC_CR寄存器。
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文档ID 14611第七版