电气特性
表32 。
符号
t
V（ NADV_NE ）
t
W（ NADV ）
1. C
L
= 15 pF的。
STM32F103xC ， STM32F103xD ， STM32F103xE
异步非复用SRAM / PSRAM / NOR写时序
(1)(2)
参数
FSMC_NEx低到FSMC_NADV低
FSMC_NADV低的时间
民
5.5
t
HCLK
+ 1.5
最大
单位
ns
ns
2.基于特征，而不是在生产测试。
图26.异步复用PSRAM / NOR读取波形
t
W（ NE ）
FSMC_NE
t
V（ NOE_NE ）
t
H（ NE_NOE ）
FSMC_NOE
t
W（ NOE ）
FSMC_NWE
t
V（ A_NE ）
FSMC_A [ 25:16 ]
地址
t
H（ A_NOE ）
t
V（ BL_NE ）
FSMC_NBL [1 ：0]的
NBL
t
H（ BL_NOE ）
t
H（ Data_NE ）
t
SU（ Data_NE ）
t
V（ A_NE ）
t
SU（ Data_NOE ）
数据
t
H（ Data_NOE ）
FSMC_AD [15 ：0]的
地址
t
V（ NADV_NE ）
t
W（ NADV ）
t
H（ AD_NADV ）
FSMC_NADV
ai14892b
表33 。
符号
t
W（ NE ）
t
V（ NOE_NE ）
t
W（ NOE ）
t
H（ NE_NOE ）
t
V（ A_NE ）
t
V（ NADV_NE ）
t
W（ NADV ）
t
H（ AD_NADV ）
t
H（ A_NOE ）
异步复用PSRAM / NOR读取时序
(1)(2)
参数
FSMC_NE低的时间
FSMC_NEx低到FSMC_NOE低
FSMC_NOE低的时间
FSMC_NOE高FSMC_NE高保持时间
FSMC_NEx低到FSMC_A有效
FSMC_NEx低到FSMC_NADV低
FSMC_NADV低的时间
FSMC_AD （地址）后，有效的保持时间
FSMC_NADV高
后FSMC_NOE高地址保持时间
3
t
HCLK
–1.5
t
HCLK
t
HCLK
民
7t
HCLK
– 2
3t
HCLK
– 0.5
4t
HCLK
– 1
–1
0
5
t
HCLK
+ 1.5
最大
7t
HCLK
+ 2
3t
HCLK
+ 1.5
4t
HCLK
+ 2
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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文档ID 14611牧师8
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
