电气特性
STM32F103xC ， STM32F103xD ， STM32F103xE
图41. NAND控制器，波形普通存储器写访问
FSMC_NCEx
低
ALE （ FSMC_A17 ）
CLE （ FSMC_A16 ）
t
D（ ALE - NWE ）
FSMC_NWE
t
W（ NWE ）
t
H（ NWE - ALE ）
FSMC_NOE
t
D（ D- NWE ）
t
V（ NWE -D ）
FSMC_D [15 ：0]的
t
H（ NWE -D ）
ai14913b
表40 。
符号
t
d(D-NWE)(2)
t
w(NOE)(2)
t
su(D-NOE)(2)
t
h(NOE-D)(2)
t
w(NWE)(2)
t
v(NWE-D)(2)
t
h(NWE-D)(2)
开关特性，NAND闪存的读写周期
(1)
参数
FSMC_D [ 15 ： 0 ]前有效FSMC_NWE高
FSMC_NOE低电平宽度
FSMC_D [15：0 ]有效数据FSMC_NOE前
高
民
5t
HCLK
+ 12
4t
HCLK
– 1.5
25
4t
HCLK
+ 1.5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
4t
HCLK
+ 2.5
0
2t
HCLK
+为4ns
3t
HCLK
+ 1.5
3t
HCLK
+ 4.5
3t
HCLK
+ 2
3t
HCLK
+ 4.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
FSMC_D [ 15 ： 0 ] FSMC_NOE高7后的有效数据
FSMC_NWE低电平宽度
FSMC_NWE低到FSMC_D [15：0 ]有效
FSMC_NWE高FSMC_D [ 15 ： 0 ]无效
4t
HCLK
– 1
t
d(ALE-NWE)(3)
FSMC_ALE有效的前FSMC_NWE低
t
h(NWE-ALE)(3)
FSMC_NWE高FSMC_ALE无效
t
d(ALE-NOE)(3)
FSMC_ALE有效的前FSMC_NOE低
t
h(NOE-ALE)(3)
FSMC_NWE高FSMC_ALE无效
1. C
L
= 15 pF的。
2.基于特征，而不是在生产测试。
3.由设计保证，而不是在生产测试。
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文档ID 14611牧师8
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