NAND128W3A2BN6E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NAND128W3A2BN6E
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内容描述：	128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 [128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	57 页 / 916 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

NAND128 -A ， NAND256 -A

NAND512 -A ， NAND01G -A

128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）

528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存

功能摘要

■

高密度NAND闪存

–

高达1 Gbit存储器阵列

高达32 Mbit的备用区

符合成本效益的解决方案，海量存储

应用

x8或x16总线宽度

复用的地址/数据

所有密度的引脚排列的兼容性

1.8V器件： V

= 1.7〜 1.95V

3.0V器件： V

= 2.7〜 3.6V

图1.套餐

■

NAND接口

–

TSOP48 12× 20毫米

■

电源电压

–

■

PAGE SIZE

–

X8装置：（ 512 + 16备用）字节

X16设备：（ 256 + 8备用）词

X8设备：（ 16K + 512备用）字节

X16设备：（ 8K + 256备用）词

随机存取： 12μs （最大值）

顺序访问：为50ns （分钟）

页编程时间：为200μs （典型值）

快速页复印，无需外部缓冲

■

USOP48 12 ×17× 0.65毫米

FBGA

■

BLOCK SIZE

–

VFBGA55 8 ×10× 1毫米

TFBGA55 8 ×10× 1.2毫米

VFBGA63 9× 11× 1毫米

TFBGA63 9× 11× 1.2毫米

■

PAGE读取/编程

–

数据完整性

–

100,000编程/擦除周期

10年的数据保留

无铅元件符合

RoHS指令

纠错码的软件和

硬件模型

坏块管理和损耗

均衡算法

文件系统OS本机参考软件

硬件仿真模型

■

复制回编程模式

–

快速块擦除

–

块擦除时间： 2毫秒（典型值）

■

符合RoHS标准

■

状态寄存器

电子签名

CHIP ENABLE “无关”选项

–

简单的接口与微控制器

–

序列号选项

硬件数据保护

–

电源在编程/擦除锁定

TRANSITIONS

–

开发工具

■

2005年2月

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