欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MMBT2222A 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2222A图片预览
型号: MMBT2222A
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 小信号NPN晶体管 [SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管IOT
文件页数/大小: 5 页 / 65 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
 浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第5页  
MMBT2222A
热数据
R
THJ - AMB
热阻结到环境
2
最大
357.1
o
C / W
设备安装在1cm的PCB面积。
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CEX
I
BEX
I
CBO
I
EBO
参数
集电极截止
电流(V
BE
= -3 V)
底座截止电流
(V
BE
= -3 V)
集电极截止
电流(I
E
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 60 V
V
CE
= 60 V
V
CB
= 75 V
V
CB
= 75 V
V
EB
= 3 V
I
C
= 10毫安
40
分钟。
典型值。
马克斯。
10
20
10
10
15
单位
nA
nA
nA
µA
nA
V
T
j
= 150 C
o
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
V
( BR ) CBO
集电极 - 基
击穿电压
(I
E
= 0)
发射极 - 基
击穿电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
集电极 - 基
饱和电压
直流电流增益
I
C
= 10
µA
75
V
V
( BR ) EBO
I
E
= 10
µA
6
V
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
=
=
0.1毫安
1毫安
10毫安
150毫安
150毫安
500毫安
I
B
= 15毫安
I
B
= 50毫安
I
B
= 15毫安
I
B
= 50毫安
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
10 V
10 V
10 V
10 V
1V
10 V
0.6
35
50
75
100
50
40
270
4
20
4
2
0.25
0.3
1
1.2
2
V
V
V
V
300
f
T
C
CBO
C
EBO
NF
h
ie
h
re
跃迁频率
集电极 - 基
电容
发射极 - 基
电容
噪声系数
输入阻抗
反向电压比
I
C
能力= 20 mA V
CE
= 20V F = 100MHz的
I
E
= 0
I
C
= 0
V
CB
= 10 V
V
EB
= 0.5 V
F = 1 MHz的
F = 1MHz的
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
50
75
5
25
兆赫
8
25
pF
pF
dB
8
1.25
8
4
300
375
35
200
µS
µS
KΩ
KΩ
10
-4
10
-4
I
C
= 0.1毫安V
CE
= 10 V
∆f
= 200赫兹ř
G
= 1 KΩ
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
h
fe
h
oe
小信号电流
收益
输出导纳
脉冲:脉冲宽度= 300
µs,
占空比
2 %
2/5