操作模式
M48T35AV
2
操作模式
As
图4第7页
示，静态存储器阵列和石英控制的时钟
在M48T35AV振荡器集成在一个硅芯片上。这两个电路
在互联上八个内存位置，以提供用户可访问
在地址7FF8H 〜7FFFH字节的单字节宽™时钟信息。
时钟位置包含年，月，日，星期，小时，分钟，和秒以24小时
BCD格式。更正为28 ， 29 （闰年 - 有效期至2100） ， 30 ，和31天的月均
自动进行的。字节7FF8H是时钟控制寄存器。该字节控制用户访问
到时钟信息，并且还存储了时钟校准设置。
这八个字节时钟都没有实际的时钟计数器本身;他们是记忆
地点由BiPORT ™读/写存储器单元。该M48T35AV包括
时钟控制电路，更新时钟字节，每秒一次的最新信息。
该信息可以由用户以相同的方式和在其他位置被访问
静态存储器阵列。
该M48T35AV也有自己的掉电检测电路。控制电路不断
监控单3V电源是否超出公差情况。当V
CC
是选自
宽容，电路的写保护SRAM ，提供了高度的数据安全性
不可预测的系统操作当中低V带来的
CC
。由于V
CC
低于
备用电池切换电压（V
SO
）时，控制电路将电池连接而
保持数据和时钟的操作，直到有效恢复供电。
表2中。
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
(1)
≤
V
SO(1)
3.0〜 3.6V
操作模式
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
X
X
V
IL
V
IH
X
X
G
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
W
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
备用电池
模式
1.见
表11第21页
注意：
X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
2.1
读取模式
该M48T35AV是在读取模式下，每当W（写使能）高， E（芯片
使能）是低的。由15地址输入指定的唯一的地址定义哪一个
在32,768个字节的数据是要被访问。有效数据将可在所述数据I / O引脚
地址访问时间内（T
AVQV
）后的最后一个地址输入信号是稳定的，从而提供
该E和G存取时间也满意。
如果E和G的访问时间得不到满足，有效数据将的后者后可用
芯片使能访问时间（t
ELQV
）或输出启用访问时间（t
GLQV
).
8/28
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
