M41T81
表5. DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
V
IL
V
IH
V
OL
V
BAT(2)
I
BAT
注： 1 。
2.
3.
4.
5.
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机）
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出低电压（漏极开路）
(5)
电池电源电压
电池供电电流
测试条件
(1)
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
开关频率= 400kHz的
SCL ， SDA = V
CC
– 0.3V
民
典型值
最大
±1
±1
400
100
单位
µA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
µA
–0.3
0.7V
CC
I
OL
= 3.0毫安
I
OL
= 10毫安
2.5
(3)
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 0V
振荡器，V
BAT
= 3V
3
0.6
0.3V
CC
V
CC
+ 0.3
0.4
0.4
3.5
(4)
1
适用于工作环境温度：T已
A
= -40〜 85 ℃; V
CC
= 2.0〜 5.5V （除非另有说明） 。
意法半导体的建议RAYOVAC BR1225和BR1632 （或同等学历）的电池供电。
之后切换（V
SO
), V
BAT
（分钟）即可2.0V水晶有R
S
= 40KΩ.
用于可再充电的后备，V
BAT
（最大）可被认为V
CC
.
对于IRQ / FT / OUT / SQW引脚（漏极开路）
表6.水晶电气特性
符号
f
O
R
S
C
L
参数
(1,2,3)
谐振频率
串联电阻
负载电容
12.5
民
典型值
32.768
60
最大
单位
千赫
kΩ
pF
注意：如果使用的SO8封装1.外部供电。意法半导体的建议KDS DT -38 ： 1TA / 1TC252E127 ，音叉
型（通孔）或DMX - 26S ： 1TJS125FH2A212 ， （ SMD）石英晶体的工业温度操作。 KDS可以CON组
tacted在kouhou@kdsj.co.jp或http://www.kdsj.co.jp对这种晶型的详细信息。
2.负载电容的M41T81内部集成。电路板布局的考虑最小跟踪的32.768 kHz晶振
长度和隔离从射频产生信号应被考虑。
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