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    M27C4001-12F1TR 参数 Datasheet PDF下载

    M27C4001-12F1TR图片预览
    型号： M27C4001-12F1TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位512KB ×8 UV EPROM和OTP EPROM [4 Mbit 512Kb x 8 UV EPROM and OTP EPROM]
    分类和应用： 可编程只读存储器电动程控只读存储器
    文件页数/大小： 17 页 / 160 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号M27C4001-12F1TR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M27C4001-12F1TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M27C4001-12F1TR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M27C4001-12F1TR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M27C4001-12F1TR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M27C4001-12F1TR的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M27C4001-12F1TR的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M27C4001-12F1TR的Datasheet PDF文件第9页  
    M27C4001
    表7.读模式DC特性
    (1)
    (T
    A
    = 0至70℃或-40至85℃ ; V
    CC
    = 5V ± 5 ％或5V ±10 ％ ; V
    PP
    = V
    CC
    )
    符号
    I
    LI
    I
    LO
    I
    CC
    I
    CC1
    I
    CC2
    I
    PP
    V
    IL
    V
    IH（ 2）
    V
    OL
    V
    OH
    参数
    输入漏电流
    输出漏电流
    电源电流
    电源电流（待机） TTL
    电源电流（待机） CMOS
    编程电流
    输入低电压
    输入高电压
    输出低电压
    输出高电压TTL
    输出高电压CMOS
    I
    OL
    = 2.1毫安
    I
    OH
    = –400µA
    I
    OH
    = –100µA
    2.4
    V
    CC
    – 0.7V
    测试条件
    0V
    ≤
    V
    IN
    ≤
    V
    CC
    0V
    ≤
    V
    OUT
    ≤
    V
    CC
    E = V
    IL
    ，G = V
    IL
    ,
    I
    OUT
    = 0毫安， F = 5MHz时
    E = V
    IH
    ê > V
    CC
    – 0.2V
    V
    PP
    = V
    CC
    –0.3
    2
    民
    最大
    ±10
    ±10
    30
    1
    100
    10
    0.8
    V
    CC
    + 1
    0.4
    单位
    µA
    µA
    mA
    mA
    µA
    µA
    V
    V
    V
    V
    V
    注：1， V
    CC
    必须用或V之前同时施加
    PP
    同时或V后取出
    PP
    .
    在输出2.最大直流电压为V
    CC
    +0.5V.
    表8A 。阅读模式AC特性
    (1)
    (T
    A
    = 0至70℃或-40至85℃ ; V
    CC
    = 5V ± 5 ％或5V ±10 ％ ; V
    PP
    = V
    CC
    )
    M27C4001
    符号
    ALT
    参数
    测试条件
    -35
    (3)
    民
    t
    AVQV
    t
    ELQV
    t
    GLQV
    t
    EHQZ （2）
    t
    GHQZ （2）
    t
    AXQX
    t
    加
    t
    CE
    t
    OE
    t
    DF
    t
    DF
    t
    OH
    地址有效到
    输出有效
    芯片使能低到
    输出有效
    输出使能低到
    输出有效
    芯片使能高到
    输出高阻
    输出使能高到
    输出高阻
    地址过渡到
    输出转换
    E = V
    IL
    ，G = V
    IL
    G = V
    IL
    E = V
    IL
    G = V
    IL
    E = V
    IL
    E = V
    IL
    ，G = V
    IL
    0
    0
    0
    最大
    35
    35
    20
    30
    30
    0
    0
    0
    -45
    (3)
    民
    最大
    45
    45
    25
    30
    30
    0
    0
    0
    -55
    (3)
    民
    最大
    55
    55
    30
    30
    30
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    单位
    注：1， V
    CC
    必须用或V之前同时施加
    PP
    同时或V后取出
    PP
    2.采样只，而不是100 ％测试。
    3.用高速交流测量条件下获得速度。
    两线输出控制
    因为EPROM中在较大的，通常使用
    存储器阵列，该产品配有2行CON-
    控制功能可容纳的使用mul-
    tiple内存连接。两线控制
    功能允许：
    一。最低的内存功耗，
    B 。完全保证了输出的总线冲突
    不会发生。
    对于最有效地利用这两种控制的
    线中，E应该被解码并作为prima-
    Ry的设备中选择的功能，一边将应
    向中的所有设备共同连接
    阵列和连接到所述读取线从
    系统控制总线。这确保了所有deselect-
    编辑存储设备都在其低功耗待机
    模式，输出引脚才有效
    当数据从一个特定的存储器需要
    装置。
    5/17

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