M27C256B
设备操作
2.4
系统注意事项
高级CMOS的EPROM的功率开关特性需要仔细的去耦
的设备。供给电流I
CC
有三个段是所关心的系统
设计师的待机电流水平，活性电流电平，和瞬态电流峰
由E的上升沿和下降沿这瞬变电流的大小产生
峰是依赖于设备的输出端的电容性和电感性负载。该
相关的瞬态电压峰值可通过与两线输出遵从能够抑制
控制和选择适当的去耦电容。建议在一个0.1μF
陶瓷电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是一个高
低固有电感和高频电容应尽可能靠近器件
成为可能。此外，一个4.7μF容量的电解电容应V之间可以使用
CC
和
V
SS
每八个设备。大容量电容应靠近电源
连接点。大容量电容器的目的是克服造成的电压降
由PCB走线电感的影响。
2.5
程序设计
当传送（每个擦除的UV EPROM后）， M27C256B的所有位都在
"1"状态。数据是通过选择性地编程"0"s成所需的位的位置引入。
虽然只"0"s将被编程，既"1"s和"0"s可以存在于该数据字。
只有这样，才能改变一个'0'到'1'，是通过模具暴露于紫外光（UV EPROM） 。该
M27C256B是在编程模式时， V
PP
输入为12.75V ，G是在V
IH
和E是
脉冲到V
IL
。的数据进行编程时施加到8位并行数据输出
销。所需的地址和数据输入的电平为TTL电平。 V
CC
被指定为
6.25V ± 0.25 V.
2.6
PRESTO II编程算法
PRESTO II编程算法允许编程整个阵列有保证
距，以3.5秒的典型时间。与PRESTO II编程涉及到
应用程序100μs的脉冲，每个字节的序列，直到正确的验证时
（见
在编程和验证操作，保证金模式电路
为了自动地启动，以保证每个单元被编程以足够的
利润率。没有overprogram脉冲，因为验证保证金模式提供应用
所需保证金为每一个程序性细胞。
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