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    M27C2001-12F1X 参数 Datasheet PDF下载

    M27C2001-12F1X图片预览
    型号： M27C2001-12F1X
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2兆位（ 256Kb的×8） UV EPROM和OTP EPROM [2 Mbit (256Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM]
    分类和应用： 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
    文件页数/大小： 16 页 / 115 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号M27C2001-12F1X的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M27C2001-12F1X的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M27C2001-12F1X的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M27C2001-12F1X的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M27C2001-12F1X的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M27C2001-12F1X的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M27C2001-12F1X的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M27C2001-12F1X的Datasheet PDF文件第9页  
    M27C2001
    表7.读模式DC特性
    (1)
    （ TA = 0 〜70
    °C
    或-40 〜85
    °C;
    V
    CC
    = 5V
    ±
    5％或5V
    ±
    10%; V
    PP
    = V
    CC
    )
    符号
    I
    LI
    I
    LO
    I
    CC
    I
    CC1
    I
    CC2
    I
    PP
    V
    IL
    V
    IH（ 2）
    V
    OL
    V
    OH
    参数
    输入漏电流
    输出漏电流
    电源电流
    电源电流（待机） TTL
    电源电流（待机） CMOS
    编程电流
    输入低电压
    输入高电压
    输出低电压
    输出高电压TTL
    输出高电压CMOS
    I
    OL
    = 2.1毫安
    I
    OH
    = –400µA
    I
    OH
    = –100µA
    2.4
    V
    CC
    – 0.7V
    测试条件
    0V
    ≤
    V
    IN
    ≤
    V
    CC
    0V
    ≤
    V
    OUT
    ≤
    V
    CC
    E = V
    IL
    ，G = V
    IL
    ,
    I
    OUT
    = 0毫安， F = 5MHz时
    E = V
    IH
    ê > V
    CC
    – 0.2V
    V
    PP
    = V
    CC
    –0.3
    2
    民
    最大
    ±10
    ±10
    30
    1
    100
    10
    0.8
    V
    CC
    + 1
    0.4
    单位
    µA
    µA
    mA
    mA
    µA
    µA
    V
    V
    V
    V
    V
    注：1， V
    CC
    必须用或V之前同时施加
    PP
    同时或V后取出
    PP
    .
    在输出2.最大直流电压为V
    CC
    +0.5V.
    表8A 。阅读模式AC特性
    (1)
    （ TA = 0 〜70
    °C
    或-40 〜85
    °C;
    V
    CC
    = 5V
    ±
    5％或5V
    ±
    10%; V
    PP
    = V
    CC
    )
    M27V2001
    符号
    ALT
    参数
    测试条件
    -55
    (3)
    民
    t
    AVQV
    t
    ELQV
    t
    GLQV
    t
    EHQZ （2）
    t
    GHQZ （2）
    t
    AXQX
    t
    加
    t
    CE
    t
    OE
    t
    DF
    t
    DF
    t
    OH
    地址有效到
    输出有效
    芯片使能低到
    输出有效
    输出使能低
    到输出有效
    芯片使能高到
    输出高阻
    输出使能高
    输出高阻
    地址过渡到
    输出转换
    E = V
    IL
    ，G = V
    IL
    G = V
    IL
    E = V
    IL
    G = V
    IL
    E = V
    IL
    E = V
    IL
    ，G = V
    IL
    0
    0
    0
    -70
    -80
    -90
    最小最大
    90
    90
    40
    0
    0
    0
    30
    30
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    单位
    最大最小
    55
    55
    30
    30
    30
    0
    0
    0
    最大最小最大
    70
    70
    35
    30
    30
    0
    0
    0
    80
    80
    40
    30
    30
    注：1， V
    CC
    必须用或V之前同时施加
    PP
    同时或V后取出
    PP
    .
    2.采样只，而不是100 ％测试。
    3.如果为45nS速度看高速交流技术测定条件。
    5/16

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