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M27C2001-12F1TR 参数 Datasheet PDF下载

M27C2001-12F1TR图片预览
型号: M27C2001-12F1TR
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内容描述: 2兆位( 256Kb的×8) UV EPROM和OTP EPROM [2 Mbit (256Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM]
分类和应用: 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
文件页数/大小: 16 页 / 115 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M27C2001
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
10ns
0至3V
1.5V
标准
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3kΩ
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz)的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试康迪特离子
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
6
12
单位
pF
pF
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
设备。供给电流I
CC
,有三段
中进行的,所关心的系统设计师
待机电流水平,活性电流电平,
而且所生产的瞬时峰值电流
大肠杆菌的幅度的上升沿和下降沿
瞬态电流的峰值是依赖于
该装置的电容性和电感性负载
的输出。
相关的瞬态电压峰值可
通过与两线输出遵从抑制
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。建议在一个0.1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是一个高频电容
低固有电感与器应
尽可能靠近器件摆放。此外
化,一个4.7μF的大容量电解电容应该是
V之间使用
CC
和V
SS
对于每一个8 devic-
ES 。大容量电容应靠近
电源连接点。的目的
大容量电容器是克服电压降
引起PCB走线电感的影响。
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