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M27C2001-12F1 参数 Datasheet PDF下载

M27C2001-12F1图片预览
型号: M27C2001-12F1
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内容描述: [256KX8 UVPROM, 120ns, CDIP32, LEAD FREE, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32]
分类和应用: 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
文件页数/大小: 25 页 / 228 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M27C2001
设备操作
2
设备操作
该M27C2001的操作模式中列出的
单电源
在读取模式必需的。所有的输入是TTL电平,除了V
PP
和12V上的A9
电子签名。
2.1
读取模式
该M27C2001具有两个控制功能,这两者必须在逻辑活性以
得到的数据输出。芯片使能(E)是功率控制和应使用
设备选择。输出使能(G)是输出控制,并应被用于栅极的数据到
输出引脚,独立的设备选择。假设该地址是稳定的,
地址存取时间(t
AVQV
)等于从E中的延迟输出(叔
ELQV
) 。数据
可用在t的延迟后的输出
GLQV
给G的下降沿,假定E具有
一直较低,且这些地址已经稳定至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
2.2
待机模式
该M27C2001具有待机模式,该模式可将电源电流范围为30mA至100μA 。
该M27C2001被置于待机模式通过将CMOS高信号到E
输入。当处于待机模式时,输出处于高阻抗状态,独立的
对G输入。
2.3
两线输出控制
由于EPROM器件在更大的存储器阵列通常使用时,该产品功能
2线控制功能,可容纳使用多个存储连接。该
2线控制功能允许:
a)
b)
最低的内存功耗,
完全保证不会发生输出总线争用。
对于最有效地使用这两个控制线中,E应该被解码,并用作
主设备选择功能,一边将应使所有公共连接
阵列中的设备和连接到所述读取线从系统控制总线。这
确保所有被选择的存储设备是在其低功耗待机模式,并且
当数据从一个特定的存储装置所需要的输出引脚是唯一活性。
2.4
系统注意事项
先进的CMOS的EPROM的功率开关特性需要仔细
去耦器件。供给电流I
CC
有三个片断,感兴趣的
系统设计者:待机电流电平,有功电流电平,和瞬态电流
这是由下落产生和大肠杆菌的上升沿瞬态的幅度峰
电流峰值是依赖于设备在容性和感性负载
输出。相关的瞬态电压峰值可以通过与符合被抑制
两个线路输出控制和正确选择去耦电容。建议
一个0.1μF的陶瓷电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该
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