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M2764A-2F1 参数 Datasheet PDF下载

M2764A-2F1图片预览
型号: M2764A-2F1
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内容描述: NMOS 64K 8K ×8 UV EPROM [NMOS 64K 8K x 8 UV EPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器
文件页数/大小: 10 页 / 111 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M2764A
程序校验
校验应在执行编程
位,以确定自己是正确的亲
编程。在验证完成与G = V
IL
,
E = V
IL
,P = V
IH
和V
PP
= 12.5V.
电子签名
电子签名方式允许读
出从一个EPROM的二进制代码,将
确定它的制造商和型号。此模式是
打算由编程设备
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。
该模式的功能,在25℃
±
5 °C的环境
编程来时所需要的温度范围
明M2764A 。
以激活此模式中,编程设备
必须强制11.5V到12.5V上的地址线A9
M2764A 。然后两个标识符字节可能是SE-
通过切换AD-从器件输出quenced
连衣裙线A0从V
IL
到V
IH
。所有其他地址线
必须在V举行
IL
电子签名时
模式。字节0 ( A0 = V
IL
)表示制造
家编码和字节1 ( A0 = V
IH
)设备identi连接器
代码。对于SGS - THOMSON M2764A ,这两个
标识符字节在下面给出。
清除操作(适用于UV EPPROM )
该M2764A的擦除特性是这样的
该擦除开始时,细胞暴露于
光波长大于约短
4000埃。但是应当注意的是,太阳光和一些
荧光灯类型有在波长
3000-4000的范围内。研究表明,恒
暴露在室内水平荧光灯可以
擦除在约3年的典型M2764A ,而它
大约需要一周至引起擦除
当暴露在直射阳光下。如果M2764A是
暴露于这些类型的照明条件
对于延长的时间段,因此建议
不透明的标签放在在M2764A窗口
防止意外删除。推荐
为M2764A擦除过程是暴露
短波紫外线具有波长
2537埃。集成的剂量(即紫外线强度X.
曝光时间),用于擦除最小应
15 W-秒/厘米
2
。擦除时间这个量
是使用超约15至20分钟
紫光灯12000
μW /厘米
2
额定功率。该
M2764A应置于2.5厘米(1英寸)的
在擦除过程中的灯管。有些灯
对它们的管的过滤器应该重新
删除前移动。
订购信息计划
例如:
M2764A
-1
F
1
速度和V
CC
公差
-1
-2
空白
-3
-4
-20
-25
180纳秒, 5V
±5%
200纳秒, 5V
±5%
250纳秒, 5V
±5%
300纳秒, 5V
±5%
450纳秒, 5V
±5%
200纳秒, 5V
±10%
250纳秒, 5V
±10%
F
FDIP28W
温度范围
1
6
0到70
°
-40到85
°C
有关可用的选项(列表速度,V
CC
宽容,包装等)指的是当前内存简短格式
目录。
有关该设备的任何方面的进一步信息,请联系SGS - THOMSON销售办事处最近
给你。
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