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M25PE10-VMN6TP 参数 Datasheet PDF下载

M25PE10-VMN6TP图片预览
型号: M25PE10-VMN6TP
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内容描述: 1和2兆位,低电压,页面可擦除串行闪存产品与字节变性, 33兆赫的SPI总线,标准引脚输出 [1 and 2 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memories with Byte-Alterability, 33 MHz SPI Bus, Standard Pin-out]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 37 页 / 483 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M25PE10 , M25PE20
设备防止意外写,编程或擦除
指令。
状态寄存器
状态寄存器包含两个状态位
可以通过读状态寄存器读出( RDSR )
指令。
WIP位。
写在制品(WIP )位指示
内存是否忙于写,程序
或擦除周期。
WEL位。
写使能锁存器( WEL )位indi-
凯茨内部写状态使能锁存器。
表2.状态寄存器的格式
b7
0
0
0
0
0
0
WEL
b0
WIP
注: WEL,WIP的性只读位( WEL设置并重新
通过特定的指令集; WIP自动设置,并重新
通过该装置的内部逻辑置位)。
保护模式
的环境中,非易失性存储器DE-
恶习使用可以很嘈杂。没有SPI设备
可在过度存在正常运行
噪声。为了帮助解决这个问题,该M25PE10和
M25PE20拥有以下数据保护
机制:
上电复位和一个内部定时器(T
PUW
)
可以提供保护,防止无意
当电源是外面的变化
操作规范。
编程,擦除和写入指令
检查它们由多个时钟的
脉冲是8的倍数时,才
被接受以供执行。
修改数据的所有指令必须是
前面有一个写使能( WREN )
指令集的写使能锁存
( WEL )位。该位被返回到它的复位状态
由以下事件:
•电
- 复位( RESET )驱动为低电平
- 写禁止( WRDI )指令完井
- 页写( PW )指令完成
- 页编程( PP )指令完成
- 页擦除( PE )指令完成
- 扇区擦除( SE )指令完成
硬件保护模式进入
当顶部区锁定( TSL )为低电平,
使顶端256页的存储器
变为只读。当顶部部门锁定
( TSL)的驱动高,顶部256页的
内存的行为像其他网页
内存
复位(复位)信号可以驱动低
期间的任何保护的存储器中的内容
关键时刻,而不只是在上电和
掉电。
除了低功耗
功能,在深度掉电模式提供
从无意额外的软件保护
写,编程和擦除指令,而
该设备不处于运行。
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