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M25PE10-VMN6TG 参数 Datasheet PDF下载

M25PE10-VMN6TG图片预览
型号: M25PE10-VMN6TG
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内容描述: 1和2兆位,低电压,页面可擦除串行闪存产品与字节变性, 33兆赫的SPI总线,标准引脚输出 [1 and 2 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memories with Byte-Alterability, 33 MHz SPI Bus, Standard Pin-out]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 37 页 / 483 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M25PE10 , M25PE20
信号说明
串行数据输出( Q) 。
这个输出信号是
用于串行传输数据出器件。
数据被移出的串行下降沿
时钟(C) 。
串行数据输入( D)。
这个输入信号被用来
传输数据串行地插入设备。它接收IN-
structions ,地址和数据被亲
编程。值被锁存的上升沿
串行时钟(C) 。
串行时钟(C) 。
该输入信号提供
串行接口的定时。指令,寻址
西文,或数据存在于串行数据输入(D)是
锁存串行时钟( C)的上升沿。数据
串行数据输出( Q)下降后的变化
串行时钟( C)的边缘。
芯片选择( S) 。
当该输入信号为高,
取消选择器件和串行数据输出
( Q)为高阻抗。除非内部读取,
编程,擦除或写入周期正在进行中,
设备将处于待机功耗模式(这是
没有深度掉电模式) 。驱动芯片
选择(S) - 低电平选择该设备,将其放置在
有源功率模式。
上电后,在芯片选择下降沿( S)
之前的任何指令的起始是必需的。
复位(复位) 。
复位(复位)输入提供
硬件复位的存储器。
当复位(复位)为高,内存为
在正常操作模式。当复位(重
集)为低电平,该内存将进入复位
模式。在这种模式下,输出为高阻抗。
驾驶复位(复位)低而内部能操作
值,我们在进步,会影响这个操作(写,
程序或擦除周期)和数据可能会丢失。
顶部扇区锁定( TSL) 。
这个输入信号看跌
当设备中的硬件保护模式,
顶部扇区锁定( TSL)连接到V
SS
, caus-
荷兰国际集团的前256页(上地址)
记忆变成只读(保护
写,编程和擦除操作) 。
当顶扇区锁定( TSL)连接到V
CC
,
顶端256页的存储器的行为像其他
内存页。
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