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M25P40-VMN6TP/X 参数 Datasheet PDF下载

M25P40-VMN6TP/X图片预览
型号: M25P40-VMN6TP/X
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内容描述: 4兆位,低电压,串行闪存,具有50 MHz SPI总线接口 [4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 53 页 / 499 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M25P40
说明
6.12
从深度掉电和阅读电子脱扣器
签名( RES )
一旦设备已经进入深度掉电模式下,所有的指令都将被忽略
除了从深度掉电和阅读电子签名的版本( RES )
指令。执行该指令需要的设备出了深度掉电模式。
该指令还可以用于读取,在串行数据输出(Q) , 8位的电子
签名,其价值为
M25P40
is
12h.
除了同时擦除,编程或写状态寄存器周期正在进行中,释放
从深度掉电和阅读电子签名( RES )指令总是提供
对设备的访问的8位的电子签名,并且可以如深甚至施加
掉电模式尚未输入。
从深度掉电和阅读电子签名( RES )指令,而任何版本
一个擦除,编程或写入状态寄存器周期正在进行中时,不进行解码,并且没有
在周期正在进行中实现。
该装置是通过驱动芯片选择(S )低的第一选择。指令码后面
3虚拟字节,每一个比特被锁定,在串行数据输入( D)在上升沿
串行时钟(C)的。然后,将8位的电子签名,存储在存储器中,被移出
串行数据输出( Q) ,每一位被串行时钟的下降沿时移出
(C).
该指令序列示于
从深度掉电和阅读电子签名的版本( RES )指令
通过驱动芯片选择(S )高后,电子签名已经阅读结束
至少一次。在串行时钟(C )发送额外的时钟周期,而芯片选择( S)是
驱动为低电平,使电子签名是重复输出。
当片选( S)被驱动为高电平时,器件进入待机功耗模式。如果
设备是不是以前在深度掉电模式下,转换到待机
电源模式是即时的。如果该设备是以前在深度掉电模式下,
不过,过渡到备用电源模式滞后T
RES2
和片选( S)
必须保持高电平至少吨
RES2
(最大) ,如在规定的
一旦进入待机
功率模式下,设备等待被选择的,使得它可以接收,解码和执行
指令。
驱动芯片选择(S) - 高8位指令字节之后已接收到所述装置中,
但整个8位电子签名之前已经被发送的第一次
(如图
仍然保证了设备投入备用电源模式。如果
设备是不是以前在深度掉电模式下,转换到待机
电源模式是即时的。如果该设备是以前在深度掉电模式下,
不过,过渡到备用电源模式滞后T
RES1
和片选( S)
必须保持高电平至少吨
RES1
(最大) ,如在规定的
一旦进入待机
功率模式下,设备等待被选择的,使得它可以接收,解码和执行
指令。
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