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M25P40-VMN6TP 参数 Datasheet PDF下载

M25P40-VMN6TP图片预览
型号: M25P40-VMN6TP
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内容描述: 4兆位,低电压,串行闪存的40MHz SPI总线接口 [4 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 40 页 / 251 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M25P40
表17. AC特性( 25MHz的操作,设备6级或3 )
在规定的试验条件
符号
f
C
f
R
t
通道1
t
CL 1
t
CLCH 2
t
CHCl 3 2
t
SLCH
t
CHSL
t
DVCH
t
CHDX
t
CHSH
t
SHCH
t
SHSL
t
SHQZ 2
t
CLQV
t
CLQX
t
HLCH
t
CHHH
t
HHCH
t
CHHL
t
HHQX 2
t
HLQZ 2
t
WHSL 4
t
SHWL 4
t
DP 2
t
RES1 2
t
RES2 2
t
LZ
t
HZ
t
CSH
t
DIS
t
V
t
HO
t
DSU
t
DH
t
CSS
t
CLH
t
CLL
Alt键。
f
C
参数
时钟频率为以下说明:
FAST_READ , PP , SE , BE , DP , RES ,
WREN , WRDI , RDSR , WRSR
时钟频率读取指令
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟上升时间
3
(峰到峰)
时钟下降时间
3
(峰到峰)
的积极建立时间(相对于C)
S不主动保持时间(相对于C)
数据建立时间
数据保持时间
的积极保持时间(相对于C)
S不主动建立时间(相对于C)
S取消时间
输出禁止时间
时钟低到输出有效
输出保持时间
HOLD建立时间(相对于C)
HOLD保持时间(相对于C)
HOLD建立时间(相对于C)
HOLD保持时间(相对于C)
持有至输出低Z
持有至输出高阻
写保护设置时间
写保护保持时间
S增强到深度掉电模式
S增强待机模式没有电子
签名读
S增强待机模式带有电子
签名读
20
100
3
3
1.8
0
10
10
10
10
15
20
分钟。
5
特区
特区
18
18
0.1
0.1
10
10
5
5
10
10
100
15
15
典型值。
马克斯。
5
25
20
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
V / ns的
V / ns的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µ
s
µ
s
µ
s
注: 1中。T
CH
+ t
CL
必须大于或等于1 /女
C
2.价值由特性保证,而不是100 %生产测试。
3.表示为转换速率。
4.仅适用作为用于当SRWD被设定为1 WRSR指令的约束。
5.对于设备3级,这是初步数据
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