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M25P10-AVMN6TP 参数 Datasheet PDF下载

M25P10-AVMN6TP图片预览
型号: M25P10-AVMN6TP
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内容描述: 1兆位,低电压,串行闪存的25 MHz SPI总线接口 [1 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 25 MHz SPI Bus Interface]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 41 页 / 591 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M25P10-A
表17. AC特性( 50MHz的操作)
50MHz的只能在产品工艺技术代码X
(5)
在规定的试验条件
符号
f
C
f
R
t
CH( 1)
t
CL (1)
t
CLCH (2)
t
CHCl 3 (2)
t
SLCH
t
CHSL
t
DVCH
t
CHDX
t
CHSH
t
SHCH
t
SHSL
t
SHQZ (2)
t
CLQV
t
CLQX
t
HLCH
t
CHHH
t
HHCH
t
CHHL
t
HHQX (2)
t
HLQZ (2)
t
WHSL (4)
t
SHWL (4)
t
的DP (2)
t
RES1 (2)
t
RES2 (2)
t
LZ
t
HZ
t
CSH
t
DIS
t
V
t
HO
t
DSU
t
DH
t
CSS
t
CLH
t
CLL
Alt键。
f
C
参数
时钟频率
(1)
以下说明:
FAST_READ , PP , SE , BE , DP , RES ,雷恩, WRDI ,
RDID , RDSR , WRSR
时钟频率读取指令
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟上升时间
3
(峰到峰)
时钟下降时间
3
(峰到峰)
的积极建立时间(相对于C)
S不主动保持时间(相对于C)
数据建立时间
数据保持时间
的积极保持时间(相对于C)
S不主动建立时间(相对于C)
S取消时间
输出禁止时间
时钟低到输出有效
输出保持时间
HOLD建立时间(相对于C)
HOLD保持时间(相对于C)
HOLD建立时间(相对于C)
HOLD保持时间(相对于C)
持有至输出低Z
持有至输出高阻
写保护设置时间
写保护保持时间
S增强到深度掉电模式
S增强待机模式没有电子签名
S增强待机模式带有电子签名阅读
20
100
3
30
30
0
5
5
5
5
8
8
分钟。
特区
特区
9
9
0.1
0.1
5
5
2
5
5
5
100
8
8
典型值。
马克斯。
50
20
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
V / ns的
V / ns的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
µs
µs
注: 1中。T
CH
+ t
CL
必须大于或等于1 /女
C
2.价值由特性保证,而不是100 %生产测试。
3.表示为转换速率。
4.仅适用作为用于当SRWD被设定为1 WRSR指令的约束。
如何寻找过程中的设备上标记5.细节见应用笔记AN1995 。
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