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M24C02-WMN6TP/S 参数 Datasheet PDF下载

M24C02-WMN6TP/S图片预览
型号: M24C02-WMN6TP/S
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内容描述: 16千位,千位8 , 4千位,千位2和1 Kbit的串行I²C总线EEPROM [16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit serial I²C bus EEPROM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
文件页数/大小: 39 页 / 506 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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DC和AC参数
表9 。
符号
I
LI
I
LO
M24C16 , M24C08 , M24C04 , M24C02 , M24C01
DC特性( M24Cxx -W装置6级)
参数
试验条件(除了那些在
分钟。
MAX 。 UNIT
±2
±2
2
1
1
–0.45 0.3V
CC
0.7V
CC
V
CC
+1
I
OL
= 2.1时毫安V
CC
= 2.5 V或
I
OL
= 3时,毫安V
CC
= 5.5 V
0.4
µA
µA
mA
mA
µA
V
V
V
输入漏电流
V = V
SS
或V
CC
,设备处于待机模式
( SCL,SDA , E0,E1 ,和E2)的
IN
输出漏电流
SDA中的Hi- Z,外部电压施加在
SDA : V
SS
或V
CC
V
CC
= 5 V,F
c
= 400千赫
(上升/下降时间< 50纳秒)
V
CC
= 2.5 V,F
c
= 400千赫
(上升/下降时间< 50纳秒)
设备未选定
(1)
, V
IN
= V
SS
或V
CC
,
2.5 V < V
CC
5.5 V
I
CC
电源电流
I
CC1
V
IL
V
IH
V
OL
待机电源电流
输入低电压( SDA ,
SCL , WC )
输入高电压( SDA ,
SCL , WC )
输出低电压
1.设备未经过电选,读命令之后(检测到停止条件) ,或后
内部写周期t结束
W
(t
W
由写命令的正确解码触发)。
表10 。
符号
I
LI
I
LO
DC特性( M24Cxx -W装置3级)
参数
输入漏电流(SCL ,
SDA, E0,E1 ,和E2)的
输出漏电流
测试条件
(除了那些在
V
IN
= V
SS
或V
CC
,设备
待机模式
SDA中的Hi- Z,外部电压
适用于SDA : V
SS
或V
CC
V
CC
= 5 V,F
C
= 400千赫
(上升/下降时间< 50纳秒)
分钟。
马克斯。
±2
±2
3
3
5
2
–0.45
0.7V
CC
I
OL
= 2.1时毫安V
CC
= 2.5 V或
I
OL
= 3时,毫安V
CC
= 5.5 V
0.3V
CC
V
CC
+1
0.4
单位
µA
µA
mA
mA
µA
µA
V
V
V
I
CC
电源电流
V
CC
= 2.5 V,F
C
= 400千赫
(上升/下降时间< 50纳秒)
设备未选定
(1)
, V
IN
= V
SS
或V
CC
, V
CC
= 5 V
设备未选定
(1)
, V
IN
= V
SS
或V
CC
, V
CC
= 2.5 V
I
CC1
待机电源电流
V
IL
V
IH
V
OL
输入低电压( SDA ,
SCL , WC )
输入高电压( SDA ,
SCL , WC )
输出低电压
1.设备未经过电选,读命令之后(检测到停止条件) ,或后
内部写周期t结束
W
(t
W
由写命令的正确解码触发)。
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文档编号5067修订版16