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L6574D 参数 Datasheet PDF下载

L6574D图片预览
型号: L6574D
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内容描述: CFL / TL镇流器驱动器预热和调光 [CFL/TL BALLAST DRIVER PREHEAT AND DIMMING]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 10 页 / 164 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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L6574
电气特性的影响
(续)
(V
S
= 12V; V
BOOT
-V
OUT
= 12V ;牛逼
AMB
= 25°C)
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
时间段
k
PRE
k
fs
V
thpre
感运算放大器
l
ib
V
io
R
OUT
I
OUT +
I
OUT -
V
ic
GBW
GDC
比较
V
V
hy
e
t
脉冲
8,9
使比较器的阈值
使比较器迟滞
最小脉冲lenght
0.56
20
200
0.6
0.64
100
V
mV
ns
6,7
5
6,7
输入偏置电流
输入失调电压
输出继电器电阻
沉输出电流
源输出电流
共模输入范围
某种意义上运算放大器增益带宽度
产品
直流开环增益
V
OUT
= 0.2V
V
OUT
= 4.5V
-10
200
0.5
0.5
-0.2
1
80
3
0.1
10
300
µA
mV
mA
mA
V
兆赫
dB
1
预加热定时常数
移频定时常数
预加热时间比较
门槛
C
PRE
= 330nF
C
PRE
= 330nF
1.15
0.115
3.3
1.5
0.15
3.5
1.85
0.185
3.7
S / μF
S / μF
V
高/低侧驱动部分:
高端和低端驱动部分提供适当的驱动外部功率MOSFET 。高汇/
源极驱动电流(二百五十○分之四百五十零毫安典型值)可确保快速的切换时间时,大小4个外部电源
MOSFET的需要来驱动。
自举部分:
获得专利的集成的自举部分取代了外部自举二极管。本节一起
自举电容器提供了自举电压来驱动高侧功率MOSFET 。此功能
使用高电压DMOS驱动器,其被同步驱动外部低侧实现
功率MOSFET 。
为了操作安全,电流流入VBOOT销被抑制,即使ZVS操作可能不会
保证。
时间段:
设置适当的预热时间(太平再= kpre * CPRE )的灯泡,一个电容器连接到所述CPRE销
其装入一个固定的电流。太平再保险时,输出开关信号,在fpre (见振荡器部分) 。
当太平再到期时, CPRE电容器放电,然后用一个不同的电流充电。这
设置一个第二时间间隔促甲状腺激素(0.1倍选定预热时间太平再)在此期间,频移
从fpre到网页设计制作Fing被执行以确保灯点火。
5/10