L6384D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	L6384D
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内容描述：	HIGH- VOLTAGE半桥驱动器 [HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER]
分类和应用：	驱动器
文件页数/大小：	10 页 / 80 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

L6384

图2.典型的上升和下降时间与

负载电容

时间

（纳秒）

250

200

150

100

D99IN1015

图3.静态电流与电源

电压

(µA)

D99IN1016

5℃ （ NF）

对于高，低侧缓冲@ 25°C环境温度Tamb

(V)

自举驱动器

自举电路来提供高

电压部分。这个功能通常是accom-

通过高电压的快速恢复二极管（图plished 。

图4a ）。在L6384专利的一体式结构

取代了外部二极管。它是由一个实现

高电压DMOS ，同步驱动

低压侧驱动（ LVG ），并在串联的二极管，

如图3中所示。图4b

内部电荷泵（图4b）中提供的

DMOS的驱动电压。

串联连接到所述的DMOS的二极管具有

被加入，以避免在它的不期望的转弯。

CBOOT选择和充电

要选择恰当的C

BOOT

重视外部

MOS可以看作是一个等效电容。

该电容C

EXT

涉及到MOS总

栅极电荷：

门

EXT

门

电容器C之间的比

EXT

和C

BOOT

成正比的周期性电压损失。

它必须是：

BOOT

>>>C

EXT

例如：如果Q

门

为30nC和V

门

为10V ，C

EXT

3nF的。用C

BOOT

= 100nF的下降会

300mV.

如果HVG有很长一段时间来提供的，该

BOOT

选择要考虑也是

泄漏损失。

例如： HVG稳态功耗低于

200μA ，因此，如果HVG牛逼

为5ms ，C

BOOT

有

供应1

C 1至C

EXT

。这项收费对1

˚F钙

pacitor装置1V的电压降。

内部自举驱动器提供了很大的研华

产品关键词：外部快速恢复二极管可

回避（这通常有很大的漏电流）。

这种结构可以仅在工作V

OUT

接近

接地（或更低），并在此同时所述LVG是

上。充电时间（T

收费

）中的C

BOOT

在这两个条件都成立的时间和

它必须足够长，以给电容器充电。

自举驱动器引入了电压降

由于DMOS ř

DSON

（典型值： 125

欧姆）。在低频这一下降可能是网元

glected 。反正增加了它的频率

必须考虑到帐户。

下列等式可用于计算

砸在引导DMOS ：

降

收费

DSON

→

降

门

DSON

收费

其中Q

门

是外部的栅极电荷

功率MOS ，R

DSON

是上的电阻

引导DMOS ，和T

收费

是充电时间

的自举电容。

例如：使用一个MOS功率总

30nC的栅极电荷的自举下降

DMOS是1V左右，如果T

收费

秒。事实上：

降

30nC

⋅

125Ω ~ 0.8V

5µs

降

已被考虑进去时的电压

砸基于C

BOOT

计算方法是：如果该压降过高，

或电路拓扑不允许足够的

充电时，外部二极管都可以使用。

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