IRFP250 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFP250
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET [N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 258 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

IRFP250

电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 100V ，我

=16 A

= 4.7Ω, V

= 10V

（见测试电路，图3 ）

= 160V ，我

= 33 A,

= 10V ，R

= 4.7Ω

分钟。

典型值。

117

158

马克斯。

单位

关闭

符号

R（ Voff时）

参数

关闭电压上升时间

下降时间

交叉时间

测试条件

= 160V ，我

= 16 A,

= 4.7Ω, V

= 10V

（见测试电路，图5 ）

分钟。

典型值。

100

马克斯。

单位

源漏二极管

符号

SDM

(2)

(1)

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 33 A，V

= 0

= 33 A， di / dt的= 100A / μs的，

= 100V ，T

= 150°C

（见测试电路，图5 ）

370

5.4

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

132

1.6

单位

µC

注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

2.脉冲宽度有限的安全工作区。

安全工作区

热阻抗

3/8

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案