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IRF840 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRF840
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内容描述: N - CHANNEL 500V - 0.75ohm - 8A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET [N - CHANNEL 500V - 0.75ohm - 8A - TO-220 PowerMESH] MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 95 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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IRF840
热数据
R
吨HJ -CA SE
Rthj -amb
R
thc- SI NK
T
l
热阻结案件
最大
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
1.0
62.5
0.5
300
C / W
摄氏度/ W
o
C / W
o
C
o
雪崩特性
SYMB OL
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大VALU ê
8.0
520
单位
A
mJ
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
SYMB OL
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 250
µA
V
GS
= 0
分钟。
500
1
50
±
100
典型值。
马克斯。
取消它
V
µA
µA
nA
V
DS
=最大额定值
零加速度吃的电压
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125 C
o
开( *)
SYMB OL
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D( 0:N )
参数
栅极阈值
电压
V
DS
= V
GS
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 250
µA
I
D
= 4.8 A
8.0
分钟。
2
典型值。
3
0.75
马克斯。
4
0.85
取消它
V
A
静态漏源V
GS
= 10V
阻力
论国有漏电流V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON) MAX
V
GS
= 10 V
动态
SYMB OL
g
fs
(∗)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
倒T转让(BOT)
电容
测试电导率银行足球比赛s
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON) MAX
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 4.8 A
V
GS
= 0
分钟。
4.9
1300
200
18
典型值。
马克斯。
取消它
S
pF
pF
pF
2/8