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型号: IRF830
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内容描述: N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET [N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 8 页 / 94 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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®
IRF830
N - CHANNEL 500V - 1.35Ω - 4.5A - TO- 220
的PowerMESH ™ MOSFET
TYPE
IRF830
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
R
DS ( ON)
< 1.5
I
D
4.5 A
典型ř
DS ( ON)
= 1.35
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
2
3
描述
这是功率MOSFET采用设计
公司的综合带状布局,基于MESH
OVERLAY ™工艺。该技术匹配
而相比提高了性能
标准件从各种来源。
应用
s
大电流,高开关速度
s
SWITH模式电源( SMPS )
s
DC -AC转换器,用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
1
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(•)
P
吨OT
的dv / dt (
1
)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25 C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25 C
降额˚F演员
峰值二极管恢复电压斜率
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
o
o
价值
500
500
±
20
4.5
2.9
18
100
0.8
3.5
-65到150
150
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W / C
V / ns的
o
o
o
C
C
( • )脉冲宽度有限的安全工作区
(
1
) I
SD
4.5A , di / dt的
75 A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, TJ
T
JMAX
该日期代码存在Z或k标记硅的第一个数字特征本数据表
1998年8月
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