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IRF740 参数 Datasheet PDF下载

IRF740图片预览
型号: IRF740
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内容描述: N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET [N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 90 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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®
IRF740
N - CHANNEL 400V - 0.48
- 10 A - TO- 220
的PowerMESH ™ MOSFET
TYPE
IRF740
s
s
s
s
s
V
DSS
400 V
R
DS ( ON)
& LT ; 0.55
I
D
10 A
典型ř
DS ( ON)
= 0.48
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
描述
这是功率MOSFET采用设计
公司的综合带状布局,基于MESH
覆盖
流程。该技术匹配
而相比提高了性能
标准件从各种来源。
应用
s
大电流开关
s
不间断电源( UPS )
s
DC / DC COVERTERS为电信,
工业和照明设备。
1
2
3
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(•)
P
合计
的dv / dt (
1
)
T
s TG
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k
)
摹吃 - 源极电压
漏电流(连续)在T
c
= 25 C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
o
价值
400
400
±
20
10
6.3
40
125
1.0
4.0
-65到150
150
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
o
o
C
C
( • )脉冲宽度有限的安全工作区
(
1
) I
SD
≤10
A, di / dt的
≤120 Α/µs,
V
DD
V
( BR ) DSS
, TJ
T
JMAX
该日期代码存在Z或k标记硅的第一个数字特征本数据表
1998年10月
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