IRF730 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF730
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内容描述：	N - CHANNEL 400V - 0.75欧姆 - 5.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET [N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	8 页 / 96 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

IRF730

N - CHANNEL 400V - 0.75

Ω

- 5.5A - TO- 220

的PowerMESH ™ MOSFET

TYPE

IRF730

DSS

400 V

DS （ ON）

＆ LT ; 1

Ω

5.5 A

典型ř

DS （ ON）

= 0.75

Ω

DV dt能力极高/

100％的雪崩测试

非常低的固有电容

栅极电荷最小化

描述

这是功率MOSFET采用设计

公司的综合带状布局，基于MESH

OVERLAY ™工艺。该技术匹配

而相比提高了性能

标准件从各种来源。

应用

大电流开关

不间断电源（ UPS ）

DC / DC COVERTERS为电信，

工业和照明设备。

TO-220

内部原理图

绝对最大额定值

符号

DGR

(•)

吨OT

的dv / dt （

)

英镑

参数

漏源电压（V

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

= 20 kΩ)

栅源电压

漏电流（连续）在T

= 25 C

漏电流（连续）在T

= 100 C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25 C

降额˚F演员

峰值二极管恢复电压斜率

存储牛逼emperature

马克斯。操作摄像结温

价值

400

5.5

3.5

100

0.8

4.0

-65到150

150

UNI吨

W / C

V / ns的

（ • ）脉冲宽度有限的安全工作区

(

) I

≤5.5

A， di / dt的

≤ 90 Α/µs,

≤

（ BR ） DSS

， TJ

≤

JMAX

该日期代码存在Z或k标记硅的第一个数字特征本数据表

1998年8月

1/8

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