®
IRF640
IRF640FP
N - CHANNEL 200V - 0.150Ω - 18A TO- 220 / TO- 220FP
MESH OVERLAY ™ MOSFET
TYPE
IRF640
IRF640FP
s
s
s
s
V
DSS
200 V
200 V
R
DS ( ON)
< 0.18
Ω
< 0.18
Ω
I
D
18 A
18 A
典型ř
DS ( ON)
= 0.150
Ω
DV dt能力极高/
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
1
2
1
2
3
描述
这是功率MOSFET采用他的设计
公司的综合带状布局,基于MESH
覆盖
™
流程。该技术匹配
而相比提高了性能
标准件从各种来源。
TO-220
TO-220FP
应用
s
大电流开关
s
不间断电源( UPS )
s
DC / DC COVERTERS为电信,
工业和照明设备。
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(•)
P
合计
的dv / dt (
1
)
V
ISO
T
s TG
T
j
参数
IRF640
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k
Ω
)
摹吃 - 源极电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压( DC )
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
IRF 640F P
200
200
±
20
18
11
72
125
1.0
5
-65到150
150
18(**)
11(**)
72
40
0.32
5
2000
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W / C
V / ns的
V
o
o
o
C
C
( • )脉冲宽度有限的安全工作区
(
1
) I
SD
≤
图18A中, di / dt的
≤
300 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, TJ
≤
T
JMAX
该日期代码存在Z或k标记硅的第一个数字特征本数据表
( ** )有限公司仅按最大允许温度
1999年10月
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